[发明专利]一种键合金丝及其制备方法有效
申请号: | 201810711150.1 | 申请日: | 2018-07-02 |
公开(公告)号: | CN109003903B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 林烽先;张知行;范传勇;周钢 | 申请(专利权)人: | 上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C22C5/02;C22C1/03 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 宋静娜;郝传鑫 |
地址: | 364000 福建省龙岩市上杭*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合金丝 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种键合金丝,包括以下质量百分比的成分,1、黄金99~99.5%、铜0.300~0.55%、钯0.190~0.44%、银0.001~0.002%、镍0.0005~0.003%、铋0.0005~0.0015%、铍0.0005~0.001%、铈0.0005~0.001%、锌0.001~0.003%、镁0.001~0.002%、钙0.0005~0.002%、铝0.0002~0.0008%、铅0.0009~0.0035%。本发明生产的键合金丝由于钯与铜的作用,隔离里金铝化合物的产生,该键合金丝改变了传统键合金丝制造的观念,从传统的99.99%含金量键合丝,改进为为99%含金量线材,该键合金丝不仅提高了线材强度,超过4000小时使用,均未形成肯得尔空泡,球焊与电极间连接良好,确保了集成电路的使用寿命。
技术领域
本发明涉及键合金丝加工技术领域,具体是涉及一种键合金丝及其制备方法。
背景技术
键合金丝是用于集成电路或晶体管芯片管芯与引线框架连接的关键引线材料。近年来随着半导体行业的迅速发展,集成电路的集成化程度越来越高,电路板厚度越来越小,器件上的电极数越来越多,电极间距越来越窄,封装密度也相应变得越来越小,而键合丝为半导体中的重要配件,常作为微电子封装用内引线,是集成电路和半导体部件的重要基础材料,客观要求作为引线的键合金丝具有高强度、低长弧度和非常高的弧形稳定性等性能。
现有技术中一般键合金丝为99.99%含量,由于在键合后,芯片电极上的铝金属,会随着时间增加,电流作用及热能影响,与黄金生成金铝化合物,集成块使用时间越长,超过3000h,化合物越多,在球焊底部与电极间形成肯得尔空泡,造成开路,是集成电路失效损坏。
发明内容
本发明的目的在于克服上述问题而提供了一种键合金丝,该键合金丝改变了传统键合金丝制造的观念,从传统的99.99%含金量键合丝,改进为为99%含金量线材,该键合金丝不仅提高了线材强度,同时提高了使用该线材后集成电路的寿命。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案是
一种键合金丝,包括以下质量百分比的成分,1、黄金99~99.5%、铜0.300~0.55%、钯0.190~0.44%、银0.001~0.002%、镍0.0005~0.003%、铋0.0005~0.0015%、铍0.0005~0.001%、铈0.0005~0.001%、锌0.001~0.003%、镁0.001~0.002%、钙0.0005~0.002%、铝0.0002~0.0008%、铅0.0009~0.0035%。
优选地,黄金99.5%、铜0.300%、钯0.190%、银0.001%、镍0.0005%、铋0.0005%、铍0.0005%、铈0.0008%、锌0.003%、镁0.002%、钙0.0005%、铝0.0002%、铅0.001%。
优选地,黄金99.4772%、铜0.301%、钯0.208%、银0.0015%、镍0.0013%、铋0.0008%、铍0.0008%、铈0.0007%、锌0.0025%、镁0.0014%、钙0.0012%、铝0.0004%、铅0.0032%。
优选地,黄金99.193%、铜0.45%、钯0.34%、银0.002%、镍0.003%、铋0.001%、铍0.001%、铈0.001%、锌0.002%、镁0.0015%、钙0.0015%、铝0.0005%、铅0.0035%。
所述的键合金丝的制备方法,包括以下步骤:
1)使用电弧炉,将所述黄金与纯铜,放入电弧炉中,使用氩气保护,将黄金与铜熔解,充分搅拌后,在保护气体状态下,关闭加热系统,使其自然冷却,固化后制作成铜金合金;
2)使用电弧炉,将黄金与纯钯,放入电弧炉中,使用氩气保护,将黄金与钯熔解,充分搅拌后,在保护气体状态下,关闭加热系统,使其自然冷却,固化后制作成钯金合金;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司,未经上杭县紫金佳博电子新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810711150.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造