[发明专利]一种零温漂电流偏置电路

说明书

本发明涉及一种零温漂电流偏置电路，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构，第一电阻连接在第四MOS管源极和第一三极管发射极之间，第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极，第二电阻连接在第三MOS管漏极和第三三极管发射极之间，第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极接地，偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，基准电压产生电路连接运算放大器的正向输入端，第三电阻连接在第六MOS管源极与地之间。

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种电流偏置电路，具体的说是涉及一种零温漂的电流偏置电路。

背景技术

在集成电路设计领域中，各种功能的集成电路几乎都离不开电流偏置电路。在某些应用中我们需要用到零温漂的电流偏置电路，即电流偏置的大小不随温度的变化而改变。

通常的零温漂电流电路产生方式如图1所示，Vref为不受温度影响的基准电压，RA和RB为不同材质的电阻，RA为正温度特性的电阻（即当温度升高时RA的阻值将变大），RB为负温度特性的电阻（即当温度升高时RB的阻值将变小），恰当地选择RA和RB的阻值，可以使它们的正负温漂相互抵消。又因Vref不受温度影响，所以我们将得到不受温度影响的偏置电流Io：。然而该电路存在一个严重问题，因RA和RB是不同材质的电阻，所以它们受工艺波动的影响是不同的。在某一工艺条件下匹配好RA和RB的阻值使其温漂为0，当工艺条件发生变化时，RA和RB的阻值可能都会发生变化，此时温漂将不再是零。

发明内容

本发明针对现有零温漂电流电路所存在的问题，提出一种零温漂电流偏置电路，该电路产生的偏置电流不受温度的影响，实现了零温漂，同时又不受电阻工艺条件的影响。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为，一种零温漂电流偏置电路，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，所述基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构，并且源极连接电源VDD，第一MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极，第一MOS管的栅极与漏极相连，第二MOS管的漏极连接第五MOS管的漏极，第三MOS管的漏极连接第二电阻的一端，第四MOS管和第五MOS管的栅极相连，第五MOS管的栅极与漏极相连，第四MOS管的源极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接第一三极管的发射极，第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极，第二电阻的另一端连接第三三极管的发射极，第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极均接地GND，在第三MOS管的漏极与第二电阻之间引出一条支路作为基准电压产生电路的输出端；所述偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，所述基准电压产生电路的输出端连接运算放大器的正向输入端，运算放大器的反向输入端连接第六MOS管的源极，运算放大器的输出端连接第六MOS管的栅极，第六MOS管的漏极连接第七MOS管的漏极，第七MOS管和第八MOS管的源极均连接电源VDD，第七MOS管和第八MOS管的栅极相连，第七MOS管的栅极和漏极相连，第三电阻的一端连接第六MOS管的源极，另一端接地GND，将第八MOS管的漏极引出作为偏置电流产生电路的输出端。

作为本发明的一种改进， 所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第七MOS管和第八MOS管均采用PMOS管，所述第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管均采用NMOS管。

作为本发明的一种改进，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用宽长比W/L值相同的PMOS管，所述第四MOS管、第五MOS管采用宽长比W/L值相同的NMOS管，所述第七MOS管和第八MOS管采用宽长比W/L值相同的PMOS管。