[发明专利]一种三维陶瓷电路板及其制备方法

权利要求书

1.一种陶瓷电路板的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

(a)制备含金属线路层的平面陶瓷基板，设计所需的三维陶瓷结构的三维模型，并根据该三维模型生产相应的加工路径；

(b)制备用于成型所述三维陶瓷结构的陶瓷浆料；所述陶瓷浆料的制备是通过将碱金属硅酸盐、氧化铝、外加剂和去离子水按比例混合均匀，球磨后获得，其中，所述碱金属硅酸盐含量为30.0～50.0wt％，所述氧化铝含量为40.0～60.0wt％，所述外加剂含量为1.0～5.0wt％，余量为所述去离子水；所述陶瓷浆料中碱金属硅酸盐和氧化铝的粒径范围均采用0.1μm～50μm；

(c)在所述平面陶瓷基板上，采用所述陶瓷浆料按照所述加工路径直写成型所述三维陶瓷结构，加热固化，以此获得所需的陶瓷电路板。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(b)中，所述外加剂采用柠檬酸盐、六偏硫酸盐、聚丙烯酸盐、焦磷酸盐、季胺、腐殖酸盐、木质素磺酸盐中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(c)中，所述直写成型中采用的喷嘴直径采用0.1mm～5.0mm，喷嘴运动速度为1mm/s～1000mm/s。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(c)中，所述加热固化的温度采用100℃～150℃，保温1h～2h。

5.一种三维陶瓷电路板，其特征在于，采用如权利要求1-4任一项所述的方法制备得到；

所述陶瓷电路板包括平面陶瓷基板和设置在该基板上的三维陶瓷结构，所述平面陶瓷基板上设置有金属线路层，用于实现电子器件的电连接，所述三维陶瓷结构采用陶瓷浆料在所述平面陶瓷基板上直写成型，其与所述陶瓷基板围成开放的腔体结构，该腔体内放置电子器件。

6.如权利要求5所述的陶瓷电路板，其特征在于，所述平面陶瓷基板可采用厚膜陶瓷基板、高温键合陶瓷基板、电镀陶瓷基板。

7.如权利要求5所述的陶瓷电路板，其特征在于，所述三维陶瓷结构厚度为0.1mm～10.0mm。