[发明专利]一种半导体器件封装结构和方法在审
申请号: | 201810712912.X | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108987350A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 崔磊;张璧君;吴鹏飞;金锐;潘艳;温家良;吴军民;田丽欣 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院有限公司 |
主分类号: | H01L23/10 | 分类号: | H01L23/10;H01L23/043;H01L23/22;H01L23/473;H01L21/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 吴黎 |
地址: | 102209 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑部件 半导体器件芯片 第一电极 第二电极 半导体器件封装 通孔 半导体器件 自保护功能 导电流体 封装结构 空腔连通 器件封装 散热作用 相对设置 液体泄漏 电极 下电极 空腔 开路 体内 芯片 侧面 贯穿 | ||
1.一种半导体器件封装结构,其特征在于,包括:
第一电极片;
第二电极片,与所述第一电极片相对设置;
半导体器件芯片,设置在所述第一电极片和第二电极片之间;
支撑部件,设置在所述半导体器件芯片的侧面,以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间和/或所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔,并且所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件且与所述空腔连通的通孔;
所述半导体器件封装结构使用时通过所述通孔向所述空腔内注入导电流体。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述通孔包括至少两个。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述支撑部件覆盖所述半导体器件芯片朝向所述第一电极片和/或第二电极片的外表面的边缘部分。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,在所述半导体器件上表面终端部分设置有O型绝缘密封圈。
5.一种半导体器件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一电极片;
在所述第一电极片上设置半导体器件芯片;
在所述半导体器件芯片侧面设置支撑部件,所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件的通孔;
在所述支撑部件和所述半导体器件芯片上设置第二电极片,所述支撑部件支撑所述第二电极片,以在所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔,所述空腔与所述通孔连通。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,在所述半导体器件芯片侧面设置支撑部件包括设置倒阶梯型或倒L型支撑部件,使得所述半导体器件芯片朝向所述第二电极片的外表面的边缘部分被覆盖。
7.一种半导体器件的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一电极片;
在所述第一电极片侧面设置支撑部件,所述支撑部件具有贯穿所述支撑部件的通孔;
在所述支撑部件和所述第一电极片上设置半导体器件芯片,所述支撑部件支撑所述半导体器件芯片,以在所述半导体器件芯片、所述第一电极片与所述支撑部件之间形成空腔,所述空腔与所述通孔连通;
在所述半导体器件芯片和所述支撑部件上设置第二电极片。
8.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,在所述第一电极片侧面设置支撑部件包括在第一电极片上设置正阶梯状或L型支撑部件,使得所述半导体器件芯片朝向所述第一电极片的外表面的边缘部分被覆盖。
9.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,在所述支撑部件和所述第一电极片上设置半导体器件芯片步骤和在所述半导体器件芯片上设置第二电极片步骤之间还包括:在所述半导体器件芯片上设置O型绝缘密封圈覆盖所述半导体器件芯片终端部分。
10.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,在所述半导体器件芯片和所述支撑部件上设置第二电极片还包括,以支撑部件支撑所述第二电极片,以在所述半导体器件芯片、所述第二电极片与所述支撑部件之间形成空腔,所述空腔与所述通孔连通。
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