[发明专利]一种防滑砖及其制备方法

权利要求书

1.一种防滑砖，其特征在于，包括坯体、底釉层、面釉层和防滑釉层，所述底釉层设置在所述坯体和所述面釉层之间，所述面釉层设置在所述底釉层和所述防滑釉层之间；

所述底釉层使用的底釉包括底釉添加剂；所述底釉添加剂为化合物A的甲苯溶液，其质量浓度为1-2％；所述底釉添加剂占所述底釉总质量的0.5-2％；所述化合物A的结构式如下：

所述面釉层使用的面釉包括面釉添加剂，所述面釉添加剂为氧化钨、氧化钼和氧化镍的混合物，所述氧化钨、所述氧化钼和所述氧化镍的质量比为2:2:1；所述面釉添加剂占所述面釉总质量的0.05-0.1％；

所述防滑釉层使用的防滑釉包括防滑釉添加剂，所述防滑釉添加剂为氯化钠、氯化铝、硫酸铝和十二水合硫酸铝钾，所述氯化钠、所述氯化铝、所述硫酸铝和所述十二水合硫酸铝钾的质量比为4:3:2:1；所述防滑釉添加剂占所述防滑釉总质量的2-5％；

所述底釉还包括底釉原料和底釉熔块，所述底釉原料以质量百分比计，包括：大理石10％、石英8％、氧化硼10％，硅酸锆10％，中铝粉6％、钠长石23％、高岭土8％、脱硅铝粉3％、方解石3％、白云石10％、生滑石9％；

所述面釉还包括面釉原料和面釉熔块；所述面釉原料以质量百分比计包括：SiO₂ 58％、Al₂O₃ 15％、Fe₂O₃ 2％、TiO₂ 0.5％、CaO 8％、NiO 0.5％、K₂O 4％、Cr₂O₃ 1.5％、ZnO 8％、BaO 2.5％；

所述防滑釉还包括防滑釉原料和防滑釉熔块，所述防滑釉熔块包括基础干粒、配合干粒和功能干粒，所述基础干粒、所述配合干粒和所述功能干粒的质量比为3:1:1；

所述配合干粒以质量分数计包括：SiO₂ 54.5％、Al₂O₃ 15％、Fe₂O₃ 0.1％、CaO 8.2％、MgO 2.5％、K₂O 7.5％、Na₂O 9％、ZnO 2.5％、CuO 0.5％、CoO 0.2％；

所述功能干粒以质量分数计包括SiO₂ 51.5％、Al₂O₃ 23％、Fe₂O₃ 0.3％、CaO 13.5％、MgO 3.3％、K₂O 3％、Na₂O 2.6％、ZnO 2.2％、Pr₆O₁₁ 0.3％、La₂O₃ 0.2％、Ce₂O₃ 0.1％；

所述防滑砖的制备方法，包括以下步骤：

A.坯体成型，进行第一次干燥处理，然后在所述坯体的表面淋底釉得到所述底釉层，并进行第二次干燥处理；再在所述底釉层的表面淋面釉得到所述面釉层，然后进行喷墨印花，并进行第三次干燥处理；

B.喷防滑釉，得到所述防滑釉层，并进行第四次干燥处理，得到预备烧制砖体；

C.将所述预备烧制砖体放入窑炉进行第一次烧制，经过第一次程序升温至400℃烧制；然后进行第一次程序降温，降至80℃后，放入窑炉进行第二次烧制，经过第二次程序升温至1200℃烧制；

D.然后进行第二次程序降温，降至80℃后，放入含有二氧化碳的氩气氛围内冷却至常温，得到半成品，所述半成品经后处理得到成品；

所述第一次程序升温为：先用10min升至150℃，维持5min，再用15min升至300℃，维持15min，然后用5min升至400℃，维持30min；所述第二次程序升温为：第一阶段用10min升至300℃，维持5min，第二阶段用5min升至600℃，维持20min，第三阶段用30min升至1200℃，维持2h；

所述第一次程序降温为：先用10min降至350℃，然后用30min降至300℃，再用50min降至150℃，最后在70min内降至80℃；所述第二次程序降温为：先用60min降至1000℃，然后用60min降至700℃，再用60min降至300℃，最后用60min降至80℃。