[发明专利]一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构

权利要求书

1.一种高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，其特征在于，由N层SRAM电路堆叠而成，第i层SRAM电路的高电压为第i层SRAM电路的低电压为N大于等于1，i及N均为正整数；

各层SRAM电路均包括电平转换模块(1)、译码器模块(2)、逻辑控制模块(3)、SRAM阵列(4)及灵敏放大器(5)，其中，电平转换模块(1)的输出端与译码器模块(2)的输入端及逻辑控制模块(3)的输入端相连接，译码器模块(2)的输出端及逻辑控制模块(3)的输出端与SRAM阵列(4)的输入端相连接，SRAM阵列(4)的输出端与灵敏放大器(5)的输入端相连接；

通过电平转换模块(1)将输入的电压范围变换为该电平转换模块(1)所在层SRAM电路对应的电压范围；

逻辑控制模块(3)的输入为写使能信号及全局时钟信号，通过逻辑控制模块(3)产生读取使能信号；

灵敏放大器(5)的输入为参考电压及输入数据，通过灵敏放大器(5)检测全局位线上的电压差，并将检测得到的电压差放大至全摆幅，从而驱动局部位线翻转，以实现数据的读取。

2.根据权利要求1所述的高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，其特征在于，SRAM阵列(4)由若干SRAM单元组成。

3.根据权利要求1所述的高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，其特征在于，电平转换模块(1)由两个反相器构成。

4.根据权利要求1所述的高能量利用率低功耗的堆叠SRAM阵列结构，其特征在于，各灵敏放大器(5)高压端的电压均为VDD，各灵敏放大器(5)的低压端均接地。