[发明专利]一种高介电常数无机/有机复合材料薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810714811.6 申请日: 2018-07-03
公开(公告)号: CN108794941A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 王一光;孙丹丹;高燕;陈峰 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08L27/18;C08L25/06;C08L23/12;C08L79/08;C08L75/04;C08K3/34;C08J5/18
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 舒启龙
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 有机复合材料 制备 薄膜 高介电常数 陶瓷 聚合物 有机聚合物基体 复合材料薄膜 薄膜电容器 超级电容器 溶液流延法 真空热压法 电介质层 介电常数 介电性能 无机填料 复合材料 高储能 高介电 共价键 膜成型 无定型 转化 应用
【权利要求书】:

1.一种高介电常数无机/有机复合材料薄膜,其特征在于,所用无机填料为一种聚合物转化陶瓷PDCs,也称前驱体陶瓷,成分为硅基陶瓷,结构为无定型/非晶态;上述前驱体为聚硅氮烷、聚硅氧烷、聚硼硅氮烷或聚硼硅氧烷,上述前驱体陶瓷具有SiCNO、SiCO、SiBCNO或SiBCO成分;

所用有机聚合物基体,包括但不限于以下聚合物材料:聚偏氟乙烯PVDF及其共聚物,聚氨酯PU,聚苯乙烯PS,聚酰亚胺PI,聚丙烯PP;

上述材料由体积分数1~60vol%的无机填料组成,余量为有机聚合物基体。

2.一种如权利要求1所述薄膜的制备方法,其特征在于,制备步骤如下:

(1)聚合物转化硅基陶瓷的制备:聚合物前驱体先在100-400℃下进行交联固化,再在1000-1300℃下热处理得到所需硅基陶瓷粉;依照前驱体的不同,热处理过程在空气、氩气或氮气下进行;

(2)A、流延成型法:将聚合物粉体溶于N,N-二甲基酰胺,水浴加热40~50℃下磁力搅拌直至聚合物粉体完全溶解,加入步骤1)中制备的硅基陶瓷粉体,其中陶瓷粉体占混合物的体积比为1~60%;混合料在玛瑙罐中球磨1~5h得到混合均匀的浆料,取出混合浆料,真空脱泡1h,随后倒入流延机料槽中流延成膜,等待溶剂蒸发完全后剥离出薄膜;

B、热压成型法:按一定比例称取陶瓷粉体以及聚合物粉体,将两种粉体溶于定量的无水乙醇中,磁力搅拌2~6h,超声处理0.5~2h,将混合液平铺烘干得到预混合的粉体;将预混粉体倒入挤出机进一步熔融混合,加热温度180℃~220℃,得到长条状挤出料;再用切料机进行切割得到颗粒状混合料;取一定颗粒状的混合料放置真空热压机中进行热压,其中热压板温度设置为180℃~220℃,压力为10MPa,保压保温时间为2min。

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