[发明专利]一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810716038.7 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108760104B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;李笑笑;高凤梅;王霖;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 纳米 灵敏 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，所述的压力传感器包括石墨基底、原子力显微镜探针以及负载于石墨基底上的功能单元，所述的功能单元为N掺杂SiC纳米带；所述N掺杂SiC纳米带的制备方法包括如下步骤：
1）将聚硅氮烷先预处理，然后与双氰氨粉末混合均匀后置于石墨坩埚中，并将碳纤维布衬底放置在坩埚顶部；预处理后的聚硅氮烷与双氰氨的质量比为（1.5-3）:1；
2）将石墨坩埚及衬底一起置于气氛烧结炉中，在氩气的气氛保护下先加热至1000-1040℃保温8-12分钟，然后升温至1390-1420℃保温5-10分钟，接着升温至1490-1520℃，接着先冷却至1080-1120℃，再随炉冷却至室温，制得N掺杂SiC纳米带。
2.根据权利要求1所述的N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，所述的N掺杂SiC纳米带的宽度为100-800nm，厚度为10-80nm。
3.根据权利要求1所述的N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，所述的N掺杂SiC纳米带中N的掺杂量为1-10
4.根据权利要求1所述的N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，所述的N掺杂SiC纳米带为
5.根据权利要求1所述的N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，所述的N掺杂SiC纳米带沿[111]方向生长。
6.根据权利要求1所述的N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，在67.03 nN的压力下，其压阻系数达到10.29×10-11 Pa-1。
7.根据权利要求1所述的N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器，其特征在于，聚硅氮烷预处理包括热交联固化、球磨粉碎。
8.一种如根据权利要求1所述N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：
将N掺杂SiC纳米带超声分散在乙醇中；
将含有N掺杂SiC纳米带的乙醇溶液滴在导电石墨基底上，自然晾干；
在原子力显微镜导电模式下构建压力传感器。
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