[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、透明导电薄膜、P型电极和N型电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底的第一表面上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述透明导电薄膜铺设在所述P型半导体层上，所述P型电极设置在所述透明导电薄膜上，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上；其特征在于，所述发光二极管芯片还包括复合层，所述复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，所述若干金属纳米颗粒间隔设置在所述衬底的第二表面上，所述无机材料层铺设在所述若干纳米银颗粒和所述若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，所述复合层的折射率小于或等于1，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒，所述无机材料层为二氧化钛层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述若干银纳米颗粒在所述衬底的第二表面上的覆盖面积小于或等于所述衬底的第二表面的面积的40％。

4.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述银纳米颗粒的粒径小于或等于140nm。

5.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述银纳米颗粒的高度为10nm～20nm。

6.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述二氧化钛层的厚度为10nm～20nm。

7.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底的第一表面上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；

在所述P型半导体层上形成透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上设置P型电极，在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极；

在所述衬底的第二表面上形成复合层，所述复合层包括若干金属纳米颗粒和无机材料层，所述若干金属纳米颗粒间隔设置在所述衬底的第二表面上，所述无机材料层铺设在所述若干纳米银颗粒和所述若干纳米银颗粒之间的衬底的第二表面上，所述复合层的折射率小于或等于1，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底的第二表面上形成复合层，包括：

在所述衬底的第二表面上形成银层；

对银层图形化，得到间隔设置的若干银纳米颗粒；

在所述若干银纳米颗粒和所述若干银纳米颗粒之间的衬底的第二表面上形成二氧化钛层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述若干银纳米颗粒在所述衬底的第二表面上的覆盖面积小于或等于所述衬底的第二表面的面积的40％。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述银纳米颗粒的粒径小于或等于140nm。