[发明专利]一种PD设备的防浪涌电路

权利要求书

1.一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于：包括设置在协议芯片内部的高增益运算放大器、第一MOS管、运算放大器、第一电流源、分压电阻、熔丝修调电路、采样电阻、第二MOS管、电源地GND和数字地VSS，电源VDD连接DC_DC模块的输入端，DC_DC模块的接地端连接电源地GND，高增益运算放大器的正输入端连接在第一电流源和熔丝修调电路之间，高增益运算放大器的负输入端连接运算放大器的输出端，高增益运算放大器的输出端连接第一MOS管的栅极，第一MOS管的漏极连接电源地GND，第一MOS管的源极连接运算放大器的正输入端，运算放大器的负输入端连接数字地VSS，采样电阻接入运算放大器的正输入端和数字地VSS之间，分压电阻的一端连接熔丝修调电路，分压电阻的另一端连接数字地VSS，第二MOS管的漏极连接第一MOS管的栅极，第二MOS管的栅极连接协议芯片内的使能端EN，第二MOS管的源极连接数字地VSS。

2.如权利要求1所述的一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于，所述高增益运算放大器采用单电源运放，其在静态工作点的输入共模电压由第一电流源、熔丝修调电路和分压电阻决定。

3.如权利要求2所述的一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于，所述高增益运算放大器采用共源共栅折叠式运放结构，具体包括第二电流源、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管的源极共接，第二电流源连接第三MOS管的源极，第三MOS管和第四MOS管的栅极分别引出作为高增益运算放大器的负输入端和正输入端，第三MOS管的漏极连接第五MOS管的源极，第四MOS管的漏极连接第六MOS管的源极，第五MOS管和第六MOS管的栅极共连并引出作为偏置电压端，第七MOS管的漏极连接第五MOS管的源极，第七MOS管的源极接地，第八MOS管的漏极连接第六MOS管的源极，第八MOS管的源极接地，第七MOS管和第八MOS管的栅极共接并引出作为偏置电压端，第九MOS管的漏极和栅极均连接第五MOS管的漏极，第十MOS管的漏极连接第六MOS管的漏极并引出作为高增益运算放大器的输出端，第九MOS管和第十MOS管的栅极共连，第十一MOS管的漏极连接第九MOS管的源极，第十二MOS管的漏极连接第十MOS管的源极，第十一MOS管和第十二MOS管的栅极共连，第十一MOS管和第十二MOS管的源极连接电源。

4.如权利要求1所述的一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。

5.如权利要求3或4所述的一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于，所述第三MOS管、第四MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管均为PMOS管，所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管均为NMOS管。

6.如权利要求5所述的一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于，所述第一MOS管的导通电阻阻值在1Ω以内，所述采样电阻的阻值在50mΩ以内。

7.如权利要求6所述的一种PD设备的防浪涌电路，其特征在于，所述高增益运算放大器的输出电压为Vout2，第一MOS管的跨导为gm，则在GND-VSS之间产生的限制电流Ilim为I_lim＝V_out2*g_m。