[发明专利]一种高触发电压可控硅

权利要求书

1.一种高触发电压可控硅，其特征在于，包括塑封体(8)，所述塑封体(8)内设置有可控硅芯片(2)和二极管芯片(5)，所述塑封体(8)上还设置有控制极G、阳极A和阴极K引线，所述二极管芯片(5)设置在控制极G上，所述可控硅芯片(2)一路经过二极管芯片(5)连接至控制极G，另一路与阴极K连接。

2.根据权利要求1所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述可控硅芯片(2)的控制极通过压焊金丝(4)与二极管芯片(5)连接，所述可控硅芯片(2)的阴极通过压焊铝丝(3)和阴极K连接。

3.根据权利要求2所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述压焊金丝(4)的纯度为99.999％，直径为0.8～1.5mils。

4.根据权利要求2所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述可控硅芯片(2)和阴极K之间设置有两根压焊铝丝(3)，所述压焊铝丝(3)纯度为99.99％，直径为10～15mils。

5.根据权利要求1所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述二极管芯片(5)通过导电银浆(7)与所述控制极G连接。

6.根据权利要求1所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述塑封体(8)设置在金属框架(1)上，所述金属框架(1)上设置有焊料(6)，所述可控硅芯片(2)通过所述焊料(6)固定设置在所述金属框架(1)上。

7.根据权利要求6所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述金属框架(1)为KFC铜框架，所述金属框架(1)的厚度为0.5毫米。

8.根据权利要求6所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述焊料(6)包括铅、锡和银，所述铅、锡和银的比例为92.5:5:2.5。

9.根据权利要求6所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述可控硅芯片(2)采用烧结工艺设置在金属框架(1)上，所述二极管芯片(5)采用烧结工艺设置在控制极G上。

10.根据权利要求1所述的一种高触发电压可控硅，其特征在于，所述塑封体(8)为环氧饼料。