[发明专利]一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体为：以氧化亚锡粉末为前驱物，将其放置于刚玉舟中，然后将基底硅片架设于前驱物斜上方，然后置于化学气相沉积(CVD)管式炉内，持续通入氩气，升温至780-820℃，使前驱物在氩气环境中进行反应，在基底硅片表面获得由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜；所述的基底硅片架设于与前驱物垂直距离0.5cm，水平距离1-2cm处，所述的前驱物应处于气流的上游处，基底硅片位于下游。

2.根据权利要求1所述的由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法，其特征在于：所述的升温速率为19.5℃/min，恒温反应30min后自然冷却至室温。

3.根据权利要求1所述的由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜的制备方法，其特征在于：所通的氩气的气体流量为50sccm。

4.一种由微米级五边形氧化亚锡构成的薄膜，其特征在于，采用如权利要求1-3任一项所述的方法制备而成。