[发明专利]AMOLED的侦测系统及侦测方法

权利要求书

1.一种AMOLED的侦测系统，其特征在于，包括多个分别与显示面板(10)电性连接的侦测装置(20)；

每一侦测装置(20)均包括与显示面板(10)连接的偏移量调节器(21)、与所述偏移量调节器(21)连接的增益调节器(22)以及与所述增益调节器(22)连接的模数转换器(23)；

所述偏移量调节器(21)，用于获取一采样电压信号(Vin)，并提供一偏移量调节电压(Voffset)调节所述采样电压信号(Vin)，输出一第一采样电压输出信号(Vout1)，该第一采样电压输出信号(Vout1)处于模数转换器(23)的电压采样范围内；

所述模数转换器(23)的电压采样范围为模数转换器(23)对应处于一电压大小范围内的采样电压信号(Vin)均能提供一采样编码值(Code)；

所述增益调节器(22)，用于获取第一采样电压输出信号(Vout1)，并提供一增益系数(A)调节所述第一采样电压输出信号(Vout1)，输出一第二采样电压输出信号(Vout2)至模数转换器(23)，使每个侦测装置(20)中的模数转换器(23)对应同一采样电压信号(Vin)提供的采样编码值(Code)均相同；

所述偏移量调节器(21)包括：第一运算放大器(D1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)以及第四电阻(R4)；

所述第一运算放大器(D1)的反相输入端电性连接第一电阻(R1)的第一端，同相输入端电性连接第二电阻(R2)的第一端，输出端输出第一采样电压输出信号(Vout1)；

所述第一电阻(R1)的第二端接入偏移量调节电压(Voffset)；

所述第二电阻(R2)的第二端接入采样电压信号(Vin)；

所述第三电阻(R3)的两端分别电性连接第一运算放大器(D1)的反相输入端和输出端；

所述第四电阻(R4)的第一端电性连接第一运算放大器(D1)的同相输入端，第二端接地；

所述增益调节器(22)包括：第二运算放大器(D2)、可调节电阻(R5)以及第六电阻(R6)；

所述第二运算放大器(D2)的反相输入端电性连接输出端，同相输入端电性连接可调节电阻(R5)的第一端，输出端输出第二采样电压输出信号(Vout2)；

所述可调节电阻(R5)的第二端接入第一采样电压输出信号(Vout1)；

所述第六电阻(R6)的第一端电性连接第二运算放大器(D2)的同相输入端，第二端接地。

2.如权利要求1所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，当采样电压信号(Vin)为0时，每个侦测装置(20)中的模数转换器(23)对应同一采样电压信号(Vin)提供的采样编码值(Code)均为0。

3.如权利要求1所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，所述增益调节器(22)的增益系数(A)为其中，Ra为第六电阻(R6)的电阻值，Rb为可调节电阻(R5)的电阻值。

4.如权利要求3所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，所述可调节电阻(R5)的电阻值与第六电阻(R6)的电阻值的比值范围为0～1/9。

5.如权利要求1所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，所述显示面板(10)包括与多个侦测装置(20)分别对应的多个显示区域(11)，每个显示区域(11)均包括呈阵列排布的多个像素(12)，每一侦测装置(20)中的偏移量调节器(21)与对应显示区域(11)中的多个像素(12)均电性连接，获取每一像素(12)的采样电压信号(Vin)。

6.如权利要求5所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，每一侦测装置(20)中的偏移量调节器(21)与对应显示区域(11)中的多个像素(12)中的驱动薄膜晶体管均电性连接。

7.如权利要求6所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，所述采样电压信号(Vin)为驱动薄膜晶体管的栅源极电压。

8.一种AMOLED的侦测方法，应用于权利要求1至7任一项所述的AMOLED的侦测系统，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、所述偏移量调节器(21)获取一采样电压信号(Vin)，并提供一偏移量调节电压(Voffset)调节所述采样电压信号(Vin)，输出一第一采样电压输出信号(Vout1)，该第一采样电压输出信号(Vout1)处于模数转换器(23)的电压采样范围内；

所述模数转换器(23)的电压采样范围为模数转换器(23)对应处于一电压大小范围内的采样电压信号(Vin)均能提供一采样编码值(Code)；

步骤S2、所述增益调节器(22)获取第一采样电压输出信号(Vout1)，并提供一增益系数(A)调节所述第一采样电压输出信号(Vout1)，输出一第二采样电压输出信号(Vout2)至模数转换器(23)，使每个侦测装置(20)中的模数转换器(23)对应同一采样电压信号(Vin)提供的采样编码值(Code)均相同。