[发明专利]存储器件的读取方法有效
| 申请号： | 201810721290.7 | 申请日： | 2018-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN109036486B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 读取 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器件的读取方法，所述存储器件包括阻变存储器和与所述阻变存储器串联的选通管，其特征在于，所述方法包括：
施加读取电压，使得当所述阻变存储器处于低阻态时所述选通管开启，并且当所述阻变存储器处于高阻态时所述选通管不开启；以及
根据读取得到的电阻值来判断所述存储器件的存储状态；
所述读取电压Vread满足以下公式：
且
其中，Vth为所述选通管的开启电压，Roff为所述选通管开启前的电阻值，LRS为所述阻变存储器低阻态时的电阻值，HRS为所述阻变存储器高阻态时的电阻值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选通管的开启电压Vth在一定范围内变化，所述读取电压Vread满足以下公式：
且
其中，Vth1为所述选通管的开启电压Vth的最大值，Vth2为所述选通管的开启电压Vth的最小值。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，若读取得到的电阻值接近LRS的值，将存储状态定义为1；若读取到的电阻值接近HRS+Roff的值，将存储状态定义为0。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变存储器包括第一TiN层、TaOx层、TiOx层和第二TiN层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选通管包括第一TiN层、NbOx层和第二TiN层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810721290.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
