[发明专利]一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构及制备方法

权利要求书

1.一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于所述陷光阵列结构是周期排列的准半椭球状凹坑结构，周期尺寸在1～100微米之间，所述陷光阵列结构的衬底材料为玻璃基片。

2.根据权利要求1所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于所述准半椭球状凹坑结构的深宽比范围为大于0.5，小于5。

3.根据权利要求2所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于所述准半椭球状凹坑结构的深宽比在1-4之间。

4.根据权利要求3所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于所述准半椭球状凹坑结构的深宽比在1.5-3之间。

5.根据权利要求1所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于，所述陷光阵列结构的陷光界面约50％的区域满足光的全反射条件。

6.根据权利要求1所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于其制备方法是：选用平板玻璃作为衬底，采用RIE定向干法刻蚀与HF湿法各向同性腐蚀相结合的工艺加工方法制备而成。

7.根据权利要求6所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构，其特征在于制备方法包括如下步骤：

(1)高深宽比陷光阵列结构的制备

首先在洁浄干燥的玻璃基片表面溅射铬铜组合的复合金属种子层，然后通过旋涂光刻胶、光刻以及显影工艺将光刻板的上图案转移到玻璃表面，并利用电镀工艺电镀镍金属层，最后进行去胶工艺，并利用反应离子干法刻蚀工艺，以金属镍作为掩膜，刻蚀玻璃，形成高深宽比的凹坑阵列结构；

(2)准半椭球陷光界面的制备

在上述步骤(1)的基础上，采用氢氟酸溶液对玻璃进行腐蚀即得。

8.根据权利要求1-7任意之一所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构的制备方法，其特征在于其选用平板玻璃作为衬底，采用RIE定向干法刻蚀与HF湿法各向同性腐蚀相结合的工艺加工方法制备而成。

9.根据权利要求8所述的一种用于薄膜太阳电池的表面陷光阵列结构的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)高深宽比陷光阵列结构的制备

首先在洁浄干燥的玻璃基片表面溅射铬铜组合的复合金属种子层，然后通过旋涂光刻胶、光刻以及显影工艺将光刻板的上图案转移到玻璃表面，并利用电镀工艺电镀镍金属层，最后进行去胶工艺，并利用反应离子干法刻蚀工艺，以金属镍作为掩膜，刻蚀玻璃，形成高深宽比的凹坑阵列结构；

(2)准半椭球陷光界面的制备

在上述步骤(1)的基础上，采用氢氟酸溶液对玻璃进行腐蚀即得。