[发明专利]一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法有效
| 申请号： | 201810722065.5 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108900173B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 张树民;陈海龙;王国浩;汪泉 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310015 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 牺牲 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 | ||
1.一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；
制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；
平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；
在所述凸起区域的上表面制备压电三明治结构；
蚀刻所述凸起区域，形成空气隙。
2.根据权利要求1所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：还包括对所述衬底硅片进行清洗的步骤。
3.根据权利要求1所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述制备二氧化硅覆盖层，包括采用LPCVD或PECVD或热氧化工艺。
4.根据权利要求1或3所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述二氧化硅覆盖层的厚度至少大于所述凸起区域的厚度。
5.根据权利要求1或3所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述平整化所述衬底硅片的第一表面包括采用化学机械抛光(CMP)工艺。
6.根据权利要求1所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述压电三明治结构包括叠置的底电极、压电层、顶电极。
7.根据权利要求6所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述底电极至少部分覆盖所述二氧化硅覆盖层。
8.根据权利要求1所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述蚀刻所述凸起区域包括采用XeF2干法蚀刻工艺。
9.根据权利要求1或8所述的以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述蚀刻所述凸起区域还包括在所述衬底硅片的第一表面甩胶形成保护层。
10.一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器，根据权利要求1-9任意一项的制备方法所制备。
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