[发明专利]用于异质结太阳电池的透明导电层及异质结太阳电池在审
申请号: | 201810722133.8 | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN109037362A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 方小红;姜祥玉;王继磊;李高非;杨立友;陈小源;鲁林峰;李东栋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院;晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/074 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结太阳电池 导电聚合物层 透明导电层 基薄膜 氧化铟 机械性能 金属电极浆料 一维导电材料 电导率 异质结电池 第二表面 第一表面 高温过程 光透过率 柔性器件 真空设备 铟元素 包覆 消耗 应用 | ||
1.一种用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述透明导电层包括:
导电聚合物层,所述导电聚合物层包括相对的第一表面及第二表面;
一维导电材料,位于所述导电聚合物层相对两表面的至少一表面,或包覆于所述导电聚合物层内部。
2.根据权利要求1所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述导电聚合物层的材料包括聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔及上述任一材料的衍生物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述导电聚合物层中还掺杂有二甲基亚砜或醇类有机物,以改良所述导电聚合物层的电学性能。
4.根据权利要求2所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述聚合物层中还掺杂有表面活性剂,以改良所述导电聚合物层的表面活性。
5.根据权利要求1所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述一维导电材料包括金属纳米线及金属纳米点中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,至少部分所述一维导电材料之间相互交叠。
7.根据权利要求1所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述一维导电材料包括金、银、铜、铝、镍及锡中的任一种或至少两种的合金。
8.根据权利要求1所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述导电聚合物层为于室温条件下采用浸渍提拉、旋涂、刮涂、喷涂、湿涂、丝网印刷、滚轮涂布及板式涂布中至少任一种工艺涂覆后于120-180℃烘干和固化而形成,所述一维导电材料为于室温条件下采用浸渍提拉、旋涂、刮涂、喷涂、湿涂、丝网印刷、滚轮涂布及板式涂布中至少任一种工艺涂覆后于120-180℃烘干和固化而形成于所述导电聚合物层的表面。
9.根据权利要求1所述的用于异质结太阳电池的透明导电层,其特征在于,所述透明导电层为于室温条件下采用浸渍提拉、旋涂、刮涂、喷涂、湿涂、丝网印刷、滚轮涂布及板式涂布中至少任一种工艺涂覆形成导电聚合物层,并于室温条件下采用浸渍提拉、旋涂、刮涂、喷涂、湿涂、丝网印刷、滚轮涂布及板式涂布中至少任一种工艺于所述导电聚合物层的表面涂覆一维导电材料后于120-180℃烘干和固化而形成。
10.一种异质结太阳电池,其特征在于,所述异质结太阳电池包括:
硅基衬底,所述硅基衬底包括相对的第一表面及第二表面;
第一本征硅基薄膜层,位于所述硅基衬底的第一表面上;
第二本征硅基薄膜层,位于所述硅基衬底的第二表面上;
第一掺杂硅基薄膜层,位于所述第一本征硅基薄膜层远离所述硅基衬底的表面上;
第二掺杂硅基薄膜层,位于所述第二本征硅基薄膜层远离所述硅基衬底的表面上,且所述第二掺杂硅基薄膜层的掺杂类型与所述第一掺杂硅基薄膜层的掺杂类型不同;
第一透明导电层,位于所述第一掺杂硅基薄膜层远离所述第一本征硅基薄膜层的表面上,所述第一透明导电层为如权利要求1至9中任一项所述的透明导电层;
第二透明导电层,位于所述第二掺杂硅基薄膜层远离所述第二本征硅基薄膜的表面上;
第一金属栅电极,位于所述第二透明导电层远离所述第二掺杂硅基薄膜层的表面。
11.根据权利要求10所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述第二透明导电层为如权利要求1至9中任一项所述的透明导电层。
12.根据权利要求10所述的异质结太阳电池,其特征在于,所述第二透明导电层为氧化铟基透明氧化物导电薄膜层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海高等研究院;晋能光伏技术有限责任公司,未经中国科学院上海高等研究院;晋能光伏技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810722133.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的