[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，包括依次层叠的第一透明导电层、第一掺杂层、第一本征钝化层、单晶硅片、第二本征钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层，其特征在于，所述第一透明导电层进一步覆盖层叠的所述第一掺杂层、所述第一本征钝化层和所述单晶硅片的侧面；

其中，所述单晶硅片为n型时，所述第一掺杂层为n型掺杂层；所述单晶硅片为p型时，所述第一掺杂层为p型掺杂层。

2.一种异质结太阳能电池，包括依次层叠的第一透明导电层、第一掺杂层、第一本征钝化层、单晶硅片、第二本征钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层，其特征在于，所述第一透明导电层、所述第一掺杂层、所述第一本征钝化层进一步覆盖所述单晶硅片的侧面。

3.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层导电类型相反，为n型掺杂层或p型掺杂层。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂层为磷掺杂的非晶硅或微晶硅层；和/或所述p型掺杂层为硼掺杂的非晶硅或微晶硅层。

5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层和第二透明导电层材料包括ITO、AZO或BZO中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层的厚度为60-120nm。

7.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括银电极和/或铝电极。

8.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅片为n型单晶硅片或p型单晶硅片。

9.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S11，在单晶硅片第一表面上，依次形成第一本征钝化层和第一掺杂层；在所述单晶硅片第二表面依次形成第二本征钝化层和第二掺杂层；

S12，形成第一透明导电层，使第一导电层覆盖所述第一掺杂层，且延伸至所述单晶硅片的侧面；

S13，仅在所述第二掺杂层上形成第二透明导电层；

其中，所述单晶硅片为n型时，所述第一掺杂层为n型掺杂层；所述单晶硅片为p型时，所述第一掺杂层为p型掺杂层。

10.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S21，在单晶硅片第二表面上，形成第二本征钝化层和第二掺杂层；

S22，在所述单晶硅片的第一表面依次形成第一本征钝化层、第一掺杂层和第一透明导电层，且所述第一本征钝化层、所述第一掺杂层和所述第一透明导电层延伸至所述单晶硅片的侧面；

S23，仅在所述第二掺杂层上形成第二透明导电层。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层导电类型相反，为n型掺杂层或p型掺杂层。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述S11步骤之后还包括切片步骤，将所述S11步骤得到的层叠结构的侧面进行切片。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述S21步骤之后还包括切片步骤，将所述S21步骤得到的层叠结构的侧面进行切片。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述切片步骤包括机械切片或激光切片。