[发明专利]集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件

权利要求书

1.一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，包括：衬底(8)；以及

漏极(9)，设置在所述衬底(8)下方；

N-漂移区(7)，设置在所述衬底(8)上方；

源极(4)，设置在所述N-漂移区(7)上方；

N+源区(5)，设置在所述源极(4)两侧的所述N-漂移区(7)中；

P型基区(6)，设置在所述源极(4)两侧的所述N-漂移区(7)中；

栅源隔离层(3)，设置在所述N+源区(5)上方；

栅介质(2)，设置在所述N-漂移区(7)上方；

栅极(10)，设置在所述栅介质(2)上方；

所述源极(4)与所述N-漂移区(7)的界面为肖特基接触，所述源极(4)与所述N+源区(5)的界面为欧姆接触，所述源极(4)与所述P型基区(6)的界面为欧姆接触，所述源极(4)所在的源槽的深度大于所述N+源区(5)的结深，且小于所述P型基区(6)的结深；

所述P型基区(6)的表面的掺杂浓度低于位于所述N+源区(5)下方的所述P型基区(6)的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述栅极(10)是多晶硅。

3.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，还包括栅金属(1)，设置在所述栅极(10)上方。

4.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述P型基区(6)靠近表面的掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3。

5.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，位于所述N+源区(5)下方的P型基区(6)的掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述衬底(8)为N型SiC材料，厚度为200μm～500μm，掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3，掺杂离子为氮离子。

7.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件，其特征在于，所述N+源区(5)为N型SiC材料，厚度为0.3～0.5μm，掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3，掺杂离子为氮离子。