[发明专利]一种背接触异质结太阳能电池及其模组

权利要求书

1.一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：包括双面制绒形成金字塔的N型单晶硅片，依次设在硅片正面的第二本征非晶硅层、一层增透层，设在硅片背面的两组或两组以上指状交叉的N区、P区及N/P交叠区，所述N/P交叠区上设有隔离槽，所述硅片背面的P区表面上依次设有第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，所述硅片背面的N区表面上依次设有第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层、金属栅线层，所述硅片背面的N/P交叠区表面上依次设有第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、绝缘层、第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、导电膜层及绝缘槽。

2.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、第三本征非晶硅层厚度为1-15nm，所述非晶硅膜层通过PECVD或热丝法沉积形成。

3.根据权利要求1所诉的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所诉两个或两个以上不同的指状交叉的N区和P区面积相当，不同的指状交叉N区和P区相互隔离开，隔离区宽度为0.1-3mm。

4.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述增透层为氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、ITO、氧化硅、氧化铝、氧化锌中的至少一种，厚度为40-200nm，所述增透层通过PECVD或PVD沉积形成。

5.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述绝缘层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、非晶硅中的至少一种，厚度为40-200nm，所述绝缘层通过PECVD或PVD沉积形成。

6.根据权利要求1所述的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述导电膜层为透明导电膜层、金属薄膜层中的至少一种，所述透明导电膜层为金属氧化物，金属氧化物为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌、掺钨氧化铟薄膜中的一种，所述金属薄膜层为铜、镍、镍铜、镍铬中的一种，所诉导电膜层厚度为50-300nm，所述导电膜层通过PVD沉积。

7.根据权利要求1所诉的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属栅线为银浆栅线或铜栅线，所诉银浆栅线通过丝网印刷形成，所述银浆栅线宽度为30-600um，厚度为10-100um；所诉铜栅线通过电镀或化学镀形成，所诉铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线宽度为30-600um，厚度为10-100um。

8.根据权利要求1所诉的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述P区宽度为200-700um，N区宽度为100-700um，N/P交叠区宽度为50-500um。

9.根据权利要求1所诉的一种背接触异质结太阳能电池，其特征在于：所述P区表面及N区表面的金属栅线呈指状交叉图案，P区与N区的金属栅线之间的间距为30-700um。

10.一种如权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池模组，其特征在于：包括背板体，设在背板体上的第一封装胶，设在第一封装胶上的至少一个多等分切割后的如权利要求1所述的太阳能电池，设在太阳能电池上的第二封装胶及设在第二封装胶上的前板体，所述太阳能电池之间通过设在其第一侧面与第二侧面的金属栅线电极相连，所述第一、第二封装胶包覆在所述太阳能电池的四周。