[发明专利]电平转换电路在审
| 申请号： | 201810723695.4 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN108847841A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;张成发;赵念;洪至超;仪梦帅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平转换电路 输出 电平转换单元 输出单元 输出稳定 转换 电子电路技术 正反馈回路 低压信号 电平转换 高速操作 高压电平 高压信号 外部控制 最大可能 高压管 高转换 速率和 保证 单端 双端 退化 | ||
1.电平转换电路，包括电平转换单元(10)和输出单元(20)，所述输出单元(20)包括第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六PMOS管(MP6)和第七PMOS管(MP7)，
第六PMOS管(MP6)的栅极连接第一控制电压(v1)，其源极连接高电源电压(vp)，其漏极连接第四NMOS管(MN4)和第七PMOS管(MP7)的栅极并作为所述电平转换电路的第一输出端；
第五NMOS管(MN5)的栅极连接第二控制电压(v2)，其漏极连接第四NMOS管(MN4)和第七PMOS管(MP7)的漏极并作为所述电平转换电路的第二输出端，其源极连接第四NMOS管(MN4)的源极并连接地电平(vn)；
其特征在于，所述电平转换单元(10)包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)，
第三NMOS管(MN3)的栅极连接第四PMOS管(MP4)的栅极并连接正相输入信号(pi)，其漏极连接第四PMOS管(MP4)的漏极和第二PMOS管(MP2)的栅极，其源极连接第二NMOS管(MN2)的源极和第一NMOS管(MN1)的漏极；
第一NMOS管(MN1)的栅极连接所述第二控制信号(v2)，其源极连接地电平(vn)；
第二NMOS管(MN2)的栅极连接第五PMOS管(MP5)的栅极并连接反相输入信号(ni)，其漏极连接第五PMOS管(MP5)的漏极、第三PMOS管(MP3)的栅极和所述电平转换电路的第一输出端；
第三PMOS管(MP3)的漏极连接第四PMOS管(MP4)的源极，其源极连接第一PMOS管(MP1)的漏极、第二PMOS管(MP2)的源极和所述输出单元(20)中第七PMOS管(MP7)的源极；
第二PMOS管(MP2)的漏极连接第五PMOS管(MP5)的源极；
第一PMOS管(MP1)的栅极连接所述第一控制电压(v1)，其源极连接高电源电压(vp)。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一PMOS管(MP1)和第六PMOS管(MP6)为高击穿电压PMOS管。
3.电平转换电路，包括电平转换单元(100)和输出单元(200)，所述输出单元(200)包括第十PMOS管(MP10)、第十二NMOS管(MN12)和第十三NMOS管(MN3)，第十PMOS管(MP10)的漏极连接第十二NMOS管(MN12)的漏极并作为所述电平转换电路的输出端，其源极连接高电源电压(vp)；第十二NMOS管(MN12)的栅极连接第三控制电压(vi)，其源极连接第十三NMOS管(MN13)的漏极；第十三NMOS管(MN13)的源极连接地电平(vn)；
其特征在于，所述电平转换单元(100)包括第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第八PMOS管(MP8)和第九PMOS管(MP9)，
第六NMOS管(MN6)的栅极连接正相输入信号(pi)，其漏极连接第八NMOS管(MN8)的源极、第九NMOS管(MN9)的漏极和第十一NMOS管(MN11)的栅极，其源极连接第七NMOS管(MN7)、第九NMOS管(MN9)和第十一NMOS管(MN11)的源极并连接地电平(vn)；
第七NMOS管(MN7)的栅极连接反相输入信号(ni)，其漏极连接第九NMOS管(MN9)的栅极、第十NMOS管(MN10)的源极、第十一NMOS管(MN11)的漏极和所述输出单元(200)中第十三NMOS管(MN13)的栅极；
第八NMOS管(MN8)的栅极连接第十NMOS管(MN10)的栅极并连接所述第三控制电压(vi)，其漏极连接第八PMOS管(MP8)的漏极和第九PMOS管(MP9)的栅极；
第八PMOS管(MP8)的栅极连接第九PMOS管(MP9)和第十NMOS管(MN10)的漏极以及所述输出单元(200)中第十PMOS管(MP10)的栅极，其源极连接第九PMOS管(MP9)的源极并连接高电源电压(vp)。
4.根据权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)和第十PMOS管(MP10)为高击穿电压PMOS管。
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