[发明专利]结晶金属氧化物层的制造方法、主动元件基板及制造方法

权利要求书

1.一种结晶金属氧化物层的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

提供一基板；

形成一第一绝缘层于该基板上；

形成一第一金属氧化物层于该第一绝缘层上；

形成一第二金属氧化物层于该第一绝缘层上；

形成一第二绝缘层于该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层上，该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层位于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间；

形成一硅层于该第二绝缘层上，该硅层覆盖该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层；

对覆盖该第一金属氧化物层的部分该硅层进行一第一激光工艺，以使该第一金属氧化物层转化为一第一结晶金属氧化物层；以及

对覆盖该第二金属氧化物层的部分该硅层进行一第二激光工艺，以使该第二金属氧化物层转化为一第二结晶金属氧化物层。

2.如权利要求1所述的结晶金属氧化物层的制造方法，其特征在于，该第一结晶金属氧化物层包括铟元素、镓元素、锌元素以及氧元素，且该第二结晶金属氧化物层包括铟元素、镓元素、锡元素以及氧元素。

3.如权利要求1所述的结晶金属氧化物层的制造方法，其特征在于，该第一绝缘层与该第二绝缘层的材料包括氧化硅。

4.一种主动元件基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

形成一结晶金属氧化物层，形成该结晶金属氧化物层的方法如权利要求1至3中任一项所述；

形成一第一栅极与一第二栅极于该基板上；该第一栅极与该第一结晶金属氧化物层于垂直该基板的方向上重迭，该第二栅极与该第二结晶金属氧化物层于垂直该基板的方向上重迭；

移除覆盖该第一结晶金属氧化物层的部分该硅层；

形成一第一源极、一第二源极、一第一漏极以及一第二漏极，该第一源极与该第一漏极电性连接该第一结晶金属氧化物层，该第二源极与该第二漏极电性连接该第二结晶金属氧化物层。

5.如权利要求4所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，更包括移除覆盖该第二结晶金属氧化物层的部分该硅层。

6.如权利要求4所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，在进行该第一激光工艺之后，覆盖该第一结晶金属氧化物层的部分该硅层包括多晶硅，且在进行该第二激光工艺之后，覆盖该第二结晶金属氧化物层的部分该硅层包括多晶硅。

7.如权利要求4所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第三绝缘层于该第二绝缘层上；

形成一第三栅极于该第三绝缘层上；

于部分该硅层中形成P型掺杂的一硅半导体层，其中

该硅半导体层位于该第二结晶金属氧化物层与该第三栅极之间；

形成一第三源极以及一第三漏极，该第三源极以及该第三漏极电性连接该硅半导体层，且该第二源极或该第二漏极电性连接该硅半导体层；

该硅半导体层、该第一结晶金属氧化物层以及该第二结晶金属氧化物层于垂直基板的方向上不重迭。

8.如权利要求7所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，于部分该硅层中形成P型掺杂的该硅半导体层之前，更包括：

对该硅层进行一第三激光工艺，以使部分该硅层包括多晶硅。

9.如权利要求4所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一第三栅极，该第三栅极位于该基板上；

于部分该硅层中形成P型掺杂的一硅半导体层，其中该硅半导体层、该第一结晶金属氧化物层以及该第二结晶金属氧化物层于垂直该基板的方向上不重叠；

形成一第三源极以及一第三漏极，该第三源极以及该第三漏极电性连接该硅半导体层，且该第三源极或该第三漏极电性连接该第二结晶金属氧化物层，其中该第三栅极与该硅半导体层于垂直该基板的方向上重叠。

10.如权利要求9所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，于部分该硅层中形成P型掺杂的该硅半导体层之前，形成该第一栅极、该第二栅极以及该第三栅极。