[发明专利]一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法

权利要求书

1.一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法，其特征在于包括：

提供CVD石墨烯薄膜；

将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中，向所述反应腔中通入低表面能物质，并加热至100~200℃，使所述低表面能物质蒸发并与所述CVD石墨烯薄膜接触，在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物理吸附和化学吸附反应，从而在所述CVD石墨烯薄膜表面沉积形成具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，获得CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其中，所述低表面能物质选自全氟硅烷丙烯酸酯、全氟硅烷丙烯酸酯和硬脂酸、硬脂酸和全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟硅烷丙烯酸酯和全氟癸基三甲氧基硅烷中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：所述低表面能物质利用化学吸附的方式在CVD石墨烯薄膜暴露金属基底的区域接枝并生长，并且利用物理吸附的方式在CVD石墨烯薄膜的石墨烯表面物理吸附生长，物理吸附与化学吸附的分子膜链接形成均匀膜层，得到所述低表面能分子膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述暴露金属基底的区域选自所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷中的任意一种或两种以上的组合。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于包括：所述低表面能物质至少在所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界、缺陷及表面进行物理吸附和化学吸附反应，生长出均匀的低表面能分子膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述沉积的时间大于10min。

6.由权利要求1-5中任一项所述方法获得的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其包括：

CVD石墨烯薄膜；以及，

形成于所述CVD石墨烯薄膜上的具有纳米团簇且分布均匀的低表面能分子膜，其中，所述低表面能分子膜包含的低表面能物质至少均匀分布于所述CVD石墨烯薄膜的台阶、边界和缺陷处，同时还吸附于所述CVD石墨烯薄膜的表面。

7.根据权利要求6所述的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其特征在于：所述低表面能分子膜的厚度大于100nm。

8.根据权利要求6所述的CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜，其特征在于：所述CVD石墨烯/低表面能物质复合薄膜与水的接触角大于100°。