[发明专利]一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法

说明书

本发明涉及PERC太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，包括以下步骤：先在石墨舟表面沉积一层氮化硅膜层，然后在氮化硅膜表面再沉积一层氧化硅膜层。本发明利用氧化硅优异的金属杂质钝化性能和阻挡性能，作为电池片与石墨舟之间接触的隔离层，能够有效增强石墨舟表面膜层对石墨舟表面金属离子的钝化及隔离效果，防止了高温条件下背面镀膜时石墨舟表面杂质对硅片正面氧化铝的污染。

技术领域

本发明涉及PERC太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法。

背景技术

PERC电池作为行业量产高效主流技术，其技术核心是在硅片的背面沉积氧化铝和氮化硅，以起到钝化表面、提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率。

现有的氧化铝沉积方式有两种：PECVD法和ALD法，本发明针对的是韩国设备供应商NCD公司的ALD设备，该公司的NCD设备具有高产能、成膜均匀性更好、维护周期长等优点。工艺路线是：制绒—扩散—刻蚀/背抛—正面氮化硅膜沉积—背面ALD方式双面氧化铝膜沉积—背面氮化硅膜沉积（PECVD）—激光开槽—丝印印刷—烧结，该ALD设备沉积氧化铝时为双面沉积，即在硅片背面和正面同时沉积有氧化铝膜层，在后道工序背面镀膜时，正面氧化铝会与石墨舟直接接触，该层氧化铝由于未经过退火处理，结构稳定性差，在背面镀膜时的高温条件下容易被石墨舟上金属离子及碳粉颗粒污染，导致电池片EL污染不良。

发明内容

本发明为了克服高温条件下背面镀膜时石墨舟表面杂质对硅片正面氧化铝的污染的问题，提供了一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，包括以下步骤：先在石墨舟表面沉积一层氮化硅膜层，然后在氮化硅膜表面再沉积一层氧化硅膜层。

本发明解决双面氧化铝结构PERC电池石墨舟污染的方法，即一种新型的石墨舟饱和工艺，该饱和工艺核心是：利用氧化硅优异的金属杂质钝化性能和阻挡性能，作为电池片与石墨舟之间接触的隔离层，有效增强了石墨舟表面膜层对石墨舟表面金属离子的钝化及隔离效果，防止了高温条件下背面镀膜时石墨舟表面杂质对硅片正面氧化铝的污染。

（1）将清洗烘干后的石墨舟，送入PECVD炉管中，抽真空并升温至工艺设定温度；

（2）在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，设定时间内完成石墨舟表层氮化硅膜层的沉积；

（3）在低压下通入笑气、硅烷，开启射频电源，设定时间内完成石墨舟表层氧化硅膜层沉积；

（4）抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺。

作为优选，步骤（1）中，设定温度控制在400~500℃。

作为优选，步骤（2）中，压力控制在1300~1800mT；氨气的流量控制在4000~8000sccm；硅烷的流量控制在400~1000sccm；射频功率控制在4000~10000W；设定时间控制在4000~7000s。

作为优选，步骤（3）中，压力控制在1300~1800mT；笑气的流量控制在4000~8000sccm；硅烷的流量控制在400~1000sccm；射频功率控制在3000~6000W；设定时间控制在100~600s。

石墨舟经该工艺饱和处理后，按照正常工艺流程投入背面镀膜生产，跟踪PERC电池片EL下石墨舟污染不良片数据。

因此，本发明具有如下有益效果：利用氧化硅优异的金属杂质钝化性能和阻挡性能，作为电池片与石墨舟之间接触的隔离层，有效增强了石墨舟表面膜层对石墨舟表面金属离子的钝化及隔离效果，防止了高温条件下背面镀膜时石墨舟表面杂质对硅片正面氧化铝的污染。

附图说明