[发明专利]薄膜蒸镀装置

权利要求书

1.一种薄膜蒸镀装置，其特征在于，包括：

靶材固定装置，用于沿第一方向固定设置多个组分不同的靶材；

衬底承载装置，用于承载待镀膜的衬底且使所述衬底与所述靶材相对设置；以及

加热装置，用于对所述靶材进行加热使所述靶材的材料蒸镀于所述衬底上形成薄膜；

所述靶材固定装置与所述衬底承载装置能够使所述靶材与所述衬底沿所述第一方向相对运动。

2.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述靶材固定装置具有用于固定所述靶材的圆柱状侧壁，所述第一方向为所述圆柱状侧壁的周向，所述衬底承载装置套设于所述靶材固定装置的外侧，并具有与所述圆柱状侧壁同轴设置的用于承载所述衬底的弧形承载面。

3.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述靶材固定装置为平板状，所述衬底承载装置具有用于承载所述衬底的平坦的承载面。

4.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述靶材固定装置固定设置，所述衬底承载装置用于提供所述衬底沿第一方向运动的动力。

5.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，还包括温度控制装置，所述温度控制装置用于调节所述衬底的温度。

6.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，还包括冷却装置，所述冷却装置设置于所述靶材固定装置远离所述靶材的一侧，或所述靶材固定装置自身为所述冷却装置。

7.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，还包括所述多个组分不同的靶材，所述多个组分不同的靶材包括CIGS靶材。

8.根据权利要求7所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述CIGS靶材包括沿所述第一方向依次设置的第一合金靶材、第二合金靶材和第三合金靶材，所述第一合金靶材的成分包括Cu_(0.01～1.0)In_(0.01～1.0)Ga_(0.01～1.0)Se_(0.01～3.0)；所述第二合金靶材的成分包括Cu_(0.01～2.0)In_(0～1.0)Ga_(0～1.0)Se_(0.01～3.0)；所述第三合金靶材的成分包括Cu_(0.01～2.0)In_(0.01～1.5)Ga_(0.01～1.0)Se_(0.01～3.0)。

9.根据权利要求8所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述第一合金靶材、第二合金靶材和第三合金靶材的成分依次分别为Cu_0.1In_0.3Ga_1.0Se_0.5、Cu_2.0Se_0.5、Cu_0.1In_0.5Ga_1.0Se_0.5。

10.根据权利要求7所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述多个组分不同的靶材还包括缓冲层靶材，所述缓冲层靶材沿所述第一方向设置于所述靶材固定装置的末端。

11.根据权利要求10所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，所述缓冲层靶材为GdS靶材。

12.根据权利要求10所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，还包括H₂S气体通入装置，所述缓冲层靶材为Cd靶材，所述H₂S气体通入装置能够在蒸镀过程中向所述薄膜蒸镀装置内通入H₂S气体。