[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法

说明书

提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。

技术领域

本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带和切割芯片接合薄膜、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。

作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一同被割断而能单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使切割芯片接合薄膜的切割带扩展。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜或切割带上，半导体晶圆被单片化为多个半导体芯片。接着，在经过例如清洗工序后，从切割带上与和半导体芯片密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同拾取各半导体芯片。由此，可以得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。该带有芯片接合薄膜的半导体芯片借助其芯片接合薄膜通过芯片接合而固定在安装基板等被粘物上。对于用于使用切割芯片接合薄膜来得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的技术，记载于例如下述专利文献1～3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-158046号公报

专利文献2：日本特开2016-115775号公报

专利文献3：日本特开2016-115804号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述扩展工序中，由要进行扩展的切割带对切割芯片接合薄膜中密合在切割带上的芯片接合薄膜作用割断力时，以往有时芯片接合薄膜的割断预定位置的一部分不会割断。另外，以往，对于经过了扩展工序的切割带上的带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有如下情况：该芯片接合薄膜的端部从切割带上局部剥离(即，发生带有芯片接合薄膜的半导体芯片端部从切割带上的浮起)，该半导体芯片和/或其芯片接合薄膜整体从切割带上剥离。局部剥离即浮起的发生在扩展工序后的清洗工序等中可能会成为带有芯片接合薄膜的半导体芯片从切割带上的不希望发生的剥离的原因。局部剥离即浮起的发生还可能会成为拾取工序中拾取不良的原因。预先在半导体晶圆表面和/或半导体芯片表面形成的布线结构越进行多层化，该布线结构内的树脂材料与半导体芯片主体的半导体材料的热膨胀率差也成为一个原因而容易导致上述浮起、剥离。

本发明是鉴于以上的情况而做出的发明，其目的在于，提供适于在使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中使密合在切割带上的芯片接合薄膜良好地割断的同时抑制从切割带上的浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。

用于解决问题的方案