[发明专利]一种异质外延薄膜结构

权利要求书

1.一种外延薄膜结构，其包括：一基底，所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底；一外延层，所述外延层为具有介电可调性能的金属氧化物薄膜，该薄膜在所述基底的外延生长面上生长；一缓冲层，所述缓冲层设置于该基底与外延层之间，所述缓冲层由两层氧化物薄膜构成。

2.如权利要求1所述的外延薄膜结构，其特征在于，所述外延层为具有介电可调性能的金属氧化物薄膜，进一步具体为立方焦绿石结构的铌酸铋锌Bi_1.5ZnNb_1.5O₇或铌酸铋镁Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜。

3.如权利要求1所述的外延薄膜结构，其特征在于，所述缓冲层由两层氧化物薄膜构成，所述两层氧化物薄膜分别为ZnO与TiO₂薄膜且TiO₂薄膜紧邻氮化镓基底、ZnO薄膜紧邻外延层。

4.如权利要求2所述的铌酸铋锌或铌酸铋镁薄膜，其特征在于，所述薄膜为外延结构且其晶面方向可设定为(222)或(400)。