[发明专利]一种抗单粒子瞬态效应的电荷泵加固电路

权利要求书

1.一种抗单粒子瞬态效应的电荷泵，其特征在于抗单粒子瞬态效应的电荷泵由任意电流型电荷泵以及控制电路，选择电路和补偿电路组成；该抗单粒子瞬态效应的电荷泵有四个输入端和一个输出端，四个输入端分别与鉴频鉴相器的输出信号UP、UPbar、DN、DNbar相连，一个输出信号端接低通滤波器的输入端；其中，控制电路有四个输入端和两个输出端，四个输入端分别与鉴频鉴相器的输出信号UP、UPbar、DN、DNbar相连，两个输出信号OUT与OUTbar连接至补偿电路和选择电路的控制端口；补偿电路的一端连接至电荷泵的输出端口，另一端连接至选择电路的输入端口，而选择电路的输出端口连接至低通滤波器的输入端口。

2.根据权利要求1所述的抗单粒子瞬态效应的电荷泵，其特征在于所述控制电路由差分串联电压开关逻辑构成的异或-同或门组成；其中，共包括由2个P沟道场效应晶体管(即第一PMOS管，第二PMOS管)和6个N沟道场效应晶体管(即第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第五NMOS管，第六NMOS管)，第一PMOS管和第二PMOS管源极均接电源；第二PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极相连作为第一输出端OUT；第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的漏极相连作为第二输出端OUTbar；第一NMOS管和第四NMOS管漏极均与第一PMOS管漏极相连；第二NMOS管与第三NMOS管漏极均与第二PMOS管漏极相连；第一NMOS管与第二NMOS管源极均与第五NMOS管漏极相连；第三和第四NMOS管源极均与第六NMOS关漏极相连；第五和第六NMOS管源极均与地连接；输入端UP与第一、第三NMOS管的栅极连接；输入端UPbar与第二、第四NMOS管栅极连接；输入端DN与第五NMOS管栅极连接；输入端DNbar与第六NMOS管栅极连接。

3.根据权利要求1所述的抗单粒子瞬态效应的电荷泵，其特征在于，所述补偿电路与选择电路采用3个传输门(即T1，T2，T3)、一个P沟道场效应晶体管(即P1)与一个N沟道场效应晶体管构成(即N1)；其中，P1源极连接至电源；P1栅极与传输门T1的a端口、传输门T3的e端口以及传输门T2的j端口相连，用以接受控制电路产生的第一输出信号OUT；P1漏极接传输门T1的端口c；N1源极接地电位，栅极接传输门T1的b端口、传输门T3的f端口以及传输门T2的i端口，用以接受控制电路产生的第二输出信号OUTbar；N1漏极接传输门T3的h端口；传输门T1的d端口与传输门T2的k端口以及传输门T3的g端口相连，且同时也与电荷泵的电流输出端连接；传输门T2的l端口连接至低通滤波器的输入端口。