[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一化合物半导体层，设置于一衬底之上；

一掺杂的化合物半导体区块，设置于该化合物半导体层之上；

一保护层，设置于该化合物半导体层之上，其中该保护层包括：

一第一保护层，围绕该掺杂的化合物半导体区块的侧壁；以及

一第二保护层，设置于该第一保护层上，该第二保护层不位于该掺杂的化合物半导体区块的正上方，其中该第一保护层的材料不同于该第二保护层的材料；一源极电极、一漏极电极和一栅极电极，穿过该保护层且设置于该化合物半导体层之上；以及

一栅极场板，连接该栅极电极且设置于该保护层介于该栅极电极与该漏极电极之间的一部分之上，其中该栅极场板具有延伸至该保护层中的一延伸部，其中通过该保护层将该延伸部与该栅极电极侧向地彼此隔开。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极场板的该延伸部与该化合物半导体层隔开。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

该第一保护层设置于该化合物半导体层上。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极场板的该延伸部穿过该第二保护层且延伸至该第一保护层中。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该掺杂的化合物半导体区块位于该化合物半导体层与该栅极电极之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一保护层具有在该掺杂的化合物半导体区块上方的一水平部分，该第一保护层的该水平部分的上表面与第二保护层的上表面共平面。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置为高电子迁移率晶体管。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极场板具有另一延伸部介于该延伸部与该漏极电极之间且延伸至该保护层中。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在一衬底之上形成一化合物半导体层；

在该化合物半导体层之上形成一掺杂的化合物半导体区块；

在该化合物半导体层之上形成一保护层，其中该保护层的形成包括：

在该化合物半导体层上沉积一第一保护层，以顺应性地覆盖该掺杂的化合物半导体区块的侧壁和上表面；以及

在该第一保护层上沉积一第二保护层，其中该第一保护层的材料不同于该第二保护层的材料，其中在形成该第二保护层之后，执行一平坦化制造工艺，移除该第二保护层位于该掺杂的化合物半导体区块正上方的一部分，使得该第一保护层位于该掺杂的化合物半导体区块正上方的一水平部分暴露出来；穿过该保护层形成一源极电极、一漏极电极和一栅极电极于该化合物半导体层之上；以及在该保护层介于该栅极电极与该漏极电极之间的一部分之上形成一栅极场板，以连接该栅极电极，其中该栅极场板具有延伸至该保护层中的一延伸部，其中通过该保护层将该延伸部与该栅极电极侧向地彼此隔开。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该栅极电极和该栅极场板的步骤包括：

在该保护层中形成一第一凹陷和一第二凹陷，其中该第二凹陷介于该第一凹陷与该漏极电极之间；

在该保护层之上形成一导电材料层填充该第一凹陷和该第二凹陷；以及

将该导电材料层图案化，以形成该栅极电极填充该第一凹陷和该栅极场板连接栅极电极且填充该第二凹陷。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一凹陷暴露出该掺杂的化合物半导体区块，而该第二凹陷未暴露出该化合物半导体层。