[发明专利]进行系统备份的方法、记忆装置及控制器、及电子装置

说明书

本发明公开了提供一种用来于记忆装置中进行系统备份的方法、相关记忆装置及其控制器、以及相关电子装置。该方法可包含：将该记忆装置的系统信息写入非挥发性内存中的复数个位置以使得该系统信息分别被存储于该复数个位置中的第一位置以及第二位置，其中该系统信息是该记忆装置的内部控制信息，且存储于该第二位置的该系统信息等同于存储于该第一位置的该系统信息；以及当存储于该第一位置的该系统信息无法使用，读取存储于该第二位置的该系统信息以控制该记忆装置依据从该第二位置读取的该系统信息运作。

技术领域

本发明是关于内存控制，尤指一种用来于记忆装置中进行系统备份的方法、相关记忆装置及其控制器、以及相关电子装置。

背景技术

近年来由于内存的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置，(诸如分别符合SD/MMC、CF、MS以及XD标准的记忆卡，或分别符合UFS以及EMMC标准的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的内存的存取(access)控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(single level cell,SLC)与多阶细胞(multiple level cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memory cell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)。理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保可携式记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足的处。举例来说，于存取闪存的管理很复杂的情况下，针对存取闪存的管理的记忆装置的系统信息可被存储于该闪存中。因为闪存的某些特征，将该系统信息写入该闪存并非意味着该系统信息是成功地存储于该闪存中。相关技术虽尝试去更正该问题，却另引入了其他问题。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下解决该些问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用来于记忆装置中进行系统备份的方法、相关记忆装置及其控制器、以及相关电子装置，以解决上述的问题。

本发明的另一目的在于提供一种用来于记忆装置中进行系统备份的方法、相关记忆装置及其控制器、以及相关电子装置，以确保该记忆装置能分别在各种情况下妥善地运作。

本发明还有一目的在于提供一种用来于记忆装置中进行系统备份的方法、相关记忆装置及其控制器、以及相关电子装置，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下解决先前技术的问题。

本发明至少实施例提供一种用来于记忆装置中进行系统备份的方法。该记忆装置可包含非挥发性(non-volatile,NV)内存，且该非挥发性内存可包含至少一非挥发性内存组件(例如：一或多个非挥发性内存组件)。该方法可包含：将该记忆装置的系统信息写入(write)该非挥发性内存中的复数个位置以使得该系统信息分别被存储于该复数个位置中的第一位置以及第二位置，其中该系统信息是该记忆装置的内部控制信息，且存储于该第二位置的该系统信息等同于存储于该第一位置的该系统信息；以及当存储于该第一位置的该系统信息无法使用，读取(read)存储于该第二位置的该系统信息以控制该记忆装置依据从该第二位置读取的该系统信息运作。