[发明专利]一种负载Ag6

说明书

本发明公开了一种负载Ag₆Si₂O₇/g‑C₃N₄自清洁纺织品制备方法，包括以下步骤：S01，煅烧三聚氰胺得到g‑C₃N₄；S02，将织物进行预处理；S03，浸泡S02所得的织物；S04，浸泡S03所得的织物。本发明还公开了一种负载Ag₆Si₂O₇/g‑C₃N₄自清洁纺织品，由上述制备方法得到。本发明的一种负载Ag₆Si₂O₇/g‑C₃N₄自清洁纺织品及其制备方法，制备方法简单易行、条件温和、光催化剂能效高、活性高和稳定好。

技术领域

本发明涉及一种负载Ag₆Si₂O₇/g-C₃N₄自清洁纺织品及其制备方法，属于纺织材料技术领域。

背景技术

利用半导体光催化剂分解有机污染物一直被认为是解决环境污染问题的有效方法。在光催化领域中，二氧化钛由于其高效、低成本、高稳定性和低毒性而被公认为一种重要的半导体。但较宽带隙以及电子与空穴容易复合，影响二氧化钛的光催化效率。因此，开发在可见光照射下具有高光催化性能的新型光催化剂成为研究的热点。具有内部极性电场的焦硅酸银(Ag₆Si₂O₇)几乎在整个可见光区域(420～ 740nm)具有很强的光催化活性，然而，成本高和不稳定限制了它的应用。g-C₃N₄作为另一种廉价材料，具有稳定的物理化学性能、较窄的带隙以及在可见光范围内吸收光等优点，但由于其电子与空穴极易复合。为了降低成本和提高光催化活性和稳定性，将焦硅酸银和 g-C₃N₄复合，赋予纺织品高效持久的自清洁性能，对传统的纺织加工技术的提升有重要的推动作用。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，提供一种具有高效持久自清洁性的负载Ag₆Si₂O₇/g-C₃N₄自清洁纺织品及其制备方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种负载Ag₆Si₂O₇/g-C₃N₄自清洁纺织品制备方法，包括以下步骤：

S01，煅烧三聚氰胺得到g-C₃N₄；

S02，将织物进行预处理，具体为：

21)，将去离子水和无水乙醇按体积比1:1混合后，得到溶液A，

22)，加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷，在40～60℃时，振荡50～ 70min，得到溶胶B，

23)，将洗涤干燥后的织物在溶胶B中避光浸泡100～120min后，取出、轧压，90～100℃烘20～40min，155～175℃烘3～5min，去离子水清洗，50～70℃烘至干燥；

S03，浸泡S02所得的织物，具体为：

31)，分别将一定量硝酸银和九水合偏硅酸钠溶解在适当的蒸馏水中，避光磁力搅拌55～65min至充分溶解，分别得到溶液C和溶液D；

32)，将S02预处理后的织物浸泡溶液C中，振荡110～130min；