[发明专利]一种微型空间氢探测微传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种微型空间氢探测微传感器，其特征在于，包括基底以及其上的氢敏感薄膜、测温电阻以及加热电阻；所述氢敏感薄膜为丝状，迂回分布在所述基底上；所述加热电阻靠近所述氢敏感薄膜分布；所述氢敏感薄膜的材料为钯镍合金材料。

2.如权利要求1所述的一种微型空间氢探测微传感器，其特征在于，还包括焊盘，用于焊接所述氢敏感薄膜、测温电阻以及加热电阻的引线。

3.如权利要求1所述的一种微型空间氢探测微传感器，其特征在于，所述测温电阻以及加热电阻采用Pt电阻。

4.如权利要求1所述的一种微型空间氢探测微传感器，其特征在于，所述测温电阻和加热电阻用于将所述氢探测微传感器的温度保持在20℃～50℃范围内。

5.一种如权利要求1所述的一种微型空间氢探测微传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、采用氧化硅制作基底，并进行清洗和干燥处理：

步骤2、在所述基底上沉积Si₃N₄薄膜；

步骤3、在所述Si₃N₄薄膜上制备测温电阻和温控电阻；

步骤4、按照测温电阻和温控电阻的图形，分别在两者上表面沉积Si₃N₄薄膜；

步骤5、在所述基底上制备PdNi氢敏感薄膜；

步骤6、在所述PdNi氢敏感薄膜上制备SiO₂保护层。

6.如权利要求5所述的一种微型空间氢探测微传感器的制备方法，其特征在于，完成步骤6后，在所述基底上制备所述焊盘。

7.如权利要求5所述的一种微型空间氢探测微传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，首先采用光刻技术在基底上形成PdNi氢敏感薄膜图形；然后再采用磁控溅射方法在PdNi氢敏感薄膜图形上沉积80nm的PdNi薄膜。

8.如权利要求5所述的一种微型空间氢探测微传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，首先采用光刻技术在基底上形成测温电阻和温控电阻图形；然后再采用磁控溅射方法在图形上沉积80nm的Pt薄膜。

9.如权利要求5所述的一种微型空间氢探测微传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤6中，首先采用光刻技术在PdNi氢敏感薄膜上形成SiO₂保护层图形；然后再采用磁控溅射方法在图形上沉积50nm的SiO₂薄膜。

10.如权利要求5所述的一种微型空间氢探测微传感器的制备方法，其特征在于，完成步骤6以后，进行气氛退火热处理，具体为：将样品置于真空退火炉中加热至300℃保温2h，其中加热和降温阶段通入高纯氮气，保温阶段通入2％氢气浓度的氮氢混合气。