[发明专利]一种含阻挡层的光伏瓷砖及其制备方法

权利要求书

1.一种含阻挡层的光伏瓷砖，其特征在于，所述光伏瓷砖由上到下依次包括陶瓷釉层(1)、阻挡层(2)、太阳电池层(3)和基底(4)；

其中，所述阻挡层透明，在300-700nm波段透过率≥95％。

2.根据权利要求1所述的的光伏瓷砖，其特征在于，所述阻挡层为氧化物、氮化物或高分子有机物。

3.根据权利要求2所述的的光伏瓷砖，其特征在于，所述氧化物为二氧化硅、氧化锌和氧化钛中的一种或几种；所述氮化物为氮化铝和/或氮化硅；所述高分子有机物为聚四氟乙烯、聚烯烃、环氧树脂和橡胶中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的光伏瓷砖，其特征在于，所述的阻挡层的厚度为0.4～1000μm。

5.根据权利要求1-4任一所述的光伏瓷砖，其特征在于，所述的基底为瓷砖、瓦片、水泥基板材、塑料薄膜、玻璃或金属板，所述的基底的厚度为0.01mm～5cm。

6.根据权利要求1-4任一所述的光伏瓷砖，其特征在于，所述基底还包括一层具有反射率的白色层。

7.根据权利要求1-4任一所述的光伏瓷砖，其特征在于，所述陶瓷釉层在300nm～1300nm波长范围内加权平均透过率≥20％。

8.根据权利要求1-4任一所述的光伏瓷砖，其特征在于，所述的陶瓷釉层的材质为无机硅酸盐材料或无机有机复合材料，所述的陶瓷釉层的厚度为0.01～5mm。

9.根据权利要求1-4任一所述的光伏瓷砖，其特征在于，所述的太阳电池层包括铜铟镓硒电池、铜锌锡硫硒电池、碲化镉电池、非晶硅电池或钙钛矿电池。

10.一种权利要求1-9任一所述含阻挡层的光伏瓷砖的制备方法，包括以下步骤：

1)将太阳电池层附着到基底之上，并引出正负极，或者直接在基底上制备太阳电池层，并引出正负极；

2)在太阳电池层上制备阻挡层；

3)在阻挡层上制备陶瓷釉层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤1)所述基底在制备太阳电池层前需经抛光和清洁处理，处理后的基底表面粗糙度≥100nm，接触角小于或等于15°。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤2)所述在太阳电池层上制备阻挡层的方法包括溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、超声喷涂法或旋涂法。