[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包含：

磷酸；以及

由以下化学式1表示的化合物：

化学式1：

在所述化学式1中，

n为1至4的整数，

R₁至R₃各自独立地选自由氢、卤素、羟基、C₁～C₁₀的烷基及C₃～C₁₀的环烷基组成的组中，R₁至R₃中的一种以上为羟基，

R₄选自由卤素、C₁～C₁₀的烷基及C₃～C₁₀的环烷基组成的组中，

X₁为-(C(R₅)(R₆))_m-，

m为0至3，

R₅及R₆各自独立地选自由氢、C₁～C₁₀的烷基及C₃～C₁₀的环烷基组成的组中。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

R₁至R₃选自由氢、卤素、羟基及C₁～C₁₀的烷基组成的组中，R₁至R₃中的一种以上为羟基，

R₄选自由卤素及C₁～C₅的烷基组成的组中，

X₁为-(C(R₅)(R₆))_m-，

m为0至1，

R₅及R₆各自独立地为氢或C₁～C₅的烷基。

3.根据权利要求2所述的蚀刻组合物，其特征在于，R₁至R₃均为羟基。

4.根据权利要求3所述的蚀刻组合物，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物为选自(3，5-二甲基吡啶-4-基)硅烷三醇及(2-(3，5-二甲基吡啶-4-基)丙烷-2-基)硅烷三醇中的一种以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻组合物，其特征在于，包含80重量百分比至90重量百分比的磷酸及0.1重量百分比至3重量百分比的由化学式1表示的化合物。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻组合物，其特征在于，还包含用于提高蚀刻速度的添加剂。

7.一种半导体器件的蚀刻方法，其特征在于，包括利用权利要求1至4中任一项所述的蚀刻组合物来对选自由氮化硅膜、氧化硅膜及它们的组合组成的组中的一种进行蚀刻的步骤。