[发明专利]芯片封装及其形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装的形成方法，包括：

设置一半导体晶粒于一载体基板之上；

设置一中介层基板于该载体基板之上，其中该中介层基板具有一凹槽，该凹槽穿过该中介层基板的相反面，该中介层基板具有围绕该半导体晶粒的内部侧壁，并且该半导体晶粒等高于或高于该中介层基板；

在该中介层基板的该凹槽中形成一保护层，以围绕该半导体晶粒；

移除该载体基板；以及

堆叠一封装结构于该中介层基板之上。

2.如权利要求1所述的芯片封装的形成方法，

其中该保护层覆盖该中介层基板以及该半导体晶粒，且该方法还包括：

形成一开口于该保护层中，以曝露出该中介层基板的一导电部件；以及

形成一导电元件于该中介层基板的该导电部件之上。

3.如权利要求1所述的芯片封装的形成方法，

还包括：在设置该半导体晶粒以及该中介层基板于该载体基板之上之前，形成一互连结构于该载体基板之上。

4.如权利要求3所述的芯片封装的形成方法，其中该保护层过度填充该凹槽以覆盖该半导体晶粒，且该方法还包括：

在堆叠该封装结构于该中介层基板之上之前，形成一第二互连结构于该保护层之上；以及

接合该封装结构至该第二互连结构。

5.如权利要求4所述的芯片封装的形成方法，其中该第二互连结构未直接接触在该半导体晶粒与该保护层之间的一界面。

6.如权利要求3所述的芯片封装的形成方法，其中在设置该中介层基板于该互连结构之上之前，设置该半导体晶粒于该互连结构之上。

7.如权利要求1所述的芯片封装的形成方法，还包括设置一第二半导体晶粒于该载体基板之上，其中该中介层基板的内部侧壁围绕该第二半导体晶粒。

8.一种芯片封装的形成方法，包括：

形成一第一重布结构于一载体基板之上；

接合一半导体晶粒与该第一重布结构；

接合一中介层基板与该第一重布结构，其中该中介层基板具有围绕该半导体晶粒的一环型结构，并且该半导体晶粒等高于或高于该中介层基板；

形成一保护层以围绕该半导体晶粒，其中该保护层的一部分在该中介层基板与该半导体晶粒之间；

移除该载体基板；以及

接合一封装结构于该中介层基板之上，其中该半导体晶粒在该封装结构与该第一重布结构之间。

9.如权利要求8所述的芯片封装的形成方法，还包括：在移除该载体基板之后且在接合该封装结构于该中介层基板之上之前，形成复数导电凸块于该第一重布结构之上，其中该第一重布结构在该些导电凸块与该半导体晶粒之间。

10.一种芯片封装，包括：

一第一重布结构；

一半导体装置，接合于该第一重布结构之上；

一中介层基板，接合于该第一重布结构之上，其中该中介层基板具有围绕该半导体装置的内部侧壁，并且该半导体装置等高于或高于该中介层基板；

一保护层，围绕该半导体装置；以及

一第二重布结构，于该保护层之上，其中该第二重布结构的一第一导电部件电性连接至该中介层基板的一第二导电部件。