[发明专利]一种VCSEL芯片及制作方法

权利要求书

1.一种VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，所述衬底划分为中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；

在所述中间区域上生长结构层，所述结构层全覆盖所述中间区域，所述结构层在第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向P型布拉格反射镜层；

生长氧化层，所述氧化层覆盖所述边缘区域以及覆盖所述结构层的侧壁和背离所述衬底一侧的表面；

在所述氧化层背离所述结构层的一侧生长第一保护层，所述第一保护层部分覆盖所述中间区域，以及，在所述氧化层背离所述衬底的一侧生长第二保护层，所述第二保护层部分覆盖所述边缘区域；

对所述氧化层进行氧化处理；

去除所述第一保护层，并在所述氧化层背离所述结构层的一侧生长P型布拉格反射镜层，所述P型布拉格反射镜层全覆盖所述中间区域；

去除所述第二保护层，并制作电极结构；

其中，所述制作电极结构包括：

在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层的一侧生长P型电极；

在所述氧化层背离所述衬底的一侧生长N型电极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为GaAs衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述中间区域上生长结构层，所述结构层全覆盖所述中间区域，所述结构层在第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层包括：

在所述衬底上生长第三保护层；

对所述第三保护层进行图形化光刻处理，以暴露出所述衬底的中间区域；

在所述中间区域上生长所述结构层，所述结构层全覆盖所述中间区域；

去除所述第三保护层；

其中，所述结构层在所述第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述中间区域上生长结构层，所述结构层全覆盖所述中间区域，所述结构层在第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层包括：

在所述衬底上生长所述结构层，所述结构层全覆盖所述衬底；

对所述结构层进行刻蚀处理，以暴露出所述衬底的边缘区域；

其中，所述结构层在所述第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述P型电极和所述N型电极的材料相同。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化层在所述第一方向上的厚度范围为8nm-12nm，包括端点值。

7.一种VCSEL芯片，其特征在于，由上述权利要求1-6任一项所述的制作方法制作，所述VCSEL芯片包括：

衬底，所述衬底划分为中间区域和包围所述中间区域的边缘区域；

设置在所述中间区域上的结构层，所述结构层全覆盖所述中间区域，所述结构层在第一方向上依次包括N型布拉格反射镜层和MQW多量子阱层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向P型布拉格反射镜层；

氧化层，所述氧化层覆盖所述边缘区域以及覆盖所述结构层的侧壁和背离所述衬底一侧的表面；

设置在所述氧化层背离所述结构层一侧的P型布拉格反射镜层，所述P型布拉格反射镜层全覆盖所述中间区域；

电极结构。

8.根据权利要求7所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述电极结构包括：

设置在所述P型布拉格反射镜层背离所述氧化层一侧的P型电极；

设置在所述氧化层背离所述衬底一侧的N型电极。

9.根据权利要求8所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述P型布拉格反射镜层覆盖的氧化层，部分是进行氧化处理后的氧化层和部分是未进行氧化处理的氧化层；

所述N型电极覆盖的氧化层，均是未进行氧化处理的氧化层；

暴露出的氧化层均是进行氧化处理后的氧化层。