[发明专利]发光元件封装结构及其制造方法有效
申请号: | 201810731232.2 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN110690251B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 王佰伟;柯正达;陈裕华;刘德祥;曾子章 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光元件封装结构,其特征在于,包括:
保护基板;
线路结构层,设置于该保护基板之上,其中该线路结构层包括第一线路层;
发光元件,设置于该线路结构层之上或该保护基板与该线路结构层之间,并与该第一线路层电性连接;
第一线路重布层,设置于该发光元件之上,其中该第一线路重布层包括第二线路层和接触该第二线路层的导电接触件;
导电连接件,连接该第一线路层与该第二线路层;
第二线路重布层,设置于该第一线路重布层之上,其中该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第三线路层;以及
芯片,设置于该第二线路重布层之上,并与该第三线路层电性连接。
2.如权利要求1所述的发光元件封装结构,其特征在于,其中该第一线路重布层进一步包括覆盖该第二线路层的第一绝缘层,该第一绝缘层具有暴露出该第二线路层的一部分的导通孔,且该导电接触件填充于该导通孔中,从而接触该第二线路层。
3.如权利要求1所述的发光元件封装结构,其特征在于,其中该第二线路重布层进一步包括覆盖该第三线路层的第二绝缘层,该第二绝缘层具有暴露出该第三线路层的一部分的开口,且该芯片通过该开口而与该第三线路层电性连接。
4.如权利要求1所述的发光元件封装结构,其特征在于,其中该第二线路层的线宽和线距小于8微米,该第三线路层的线宽和线距小于8微米。
5.一种发光元件封装结构,其特征在于,包括:
保护基板;
发光元件,设置于该保护基板之上;
第一线路重布层,设置于该发光元件之上,其中该第一线路重布层包括与该发光元件电性连接的第一线路层,该第一线路层的线宽和线距小于8微米;
第二线路重布层,设置于该第一线路重布层之上,其中该第二线路重布层包括第二线路层和接触该第一线路层和该第二线路层的导电接触件,该第二线路层的线宽和线距小于8微米;以及
芯片,设置于该第二线路重布层之上,并与该第二线路层电性连接。
6.如权利要求5所述的发光元件封装结构,其特征在于,其中该第二线路重布层进一步包括覆盖该第一线路层的绝缘层,该绝缘层具有暴露出该第一线路层的一部分的导通孔,且该导电接触件填充于该导通孔中,从而接触该第一线路层和该第二线路层。
7.一种发光元件封装结构的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:
(i)提供线路重布结构;
(ii)提供第一基板;
(iii)形成线路结构层于该第一基板之上,其中该线路结构层包括第一线路层;
(iv)在步骤(ii)之前或之后,设置发光元件于该第一基板与该线路结构层之间或于该线路结构层之上,其中该发光元件与该第一线路层电性连接;以及
(v)设置该线路重布结构于该发光元件之上,其中该线路重布结构包括第一线路重布层、第二线路重布层、以及芯片,该第一线路重布层包括第二线路层和接触该第二线路层的导电接触件,该第二线路层通过导电连接件而与该第一线路层电性连接,该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第三线路层,且该第三线路层与该芯片电性连接。
8.如权利要求7所述的发光元件封装结构之制造方法,其特征在于,其中步骤(i)包括下列子步骤:
(a)形成该第一线路重布层于第二基板之上;
(b)形成该第二线路重布层于该第一线路重布层之上;
(c)设置该芯片于该第二线路重布层之上;以及
(d)剥离该第二基板以暴露出该第二线路层,从而形成该线路重布结构。
9.一种发光元件封装结构的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:
(i)提供具有基板、第一线路重布层、以及第二线路重布层的线路重布结构,其中该第一线路重布层设置于该基板之上,该第一线路重布层包括第一线路层和接触该第一线路层的导电接触件,该第二线路重布层设置于该第一线路重布层之上,该第二线路重布层包括接触该导电接触件的第二线路层;
(ii)设置发光元件于该第二线路重布层之上,其中该发光元件与该第二线路层电性连接;
(iii)在步骤(ii)之前或之后,剥离该基板以暴露出该第一线路层;以及
(iv)设置芯片于该第一线路重布层之下,其中该芯片与该第一线路层电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的