[发明专利]一种MEMS传感芯片、电路板和电子装置在审
| 申请号： | 201810731394.6 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN108793060A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李卫民;王徐坚;姚康;李俊毅 | 申请（专利权）人： | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司;浙江洛丁森智能科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
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| 地址： | 201109 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感芯片 顶硅层 绝缘层 电路板 电路器件 电子装置 衬底 彼此连接 电荷泄漏 介质隔离 依次布置 背衬 制作 | ||
1.一种基于SOI技术的MEMS传感芯片，其特征在于，具有从下至上依次布置和彼此连接的背衬(6)、衬底(5)、绝缘层(4)、顶硅层(3)，其中，电路器件制作于顶硅层(3)上。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感芯片，其特征在于，传感芯片采用平膜片结构。
3.根据权利要求1所述的MEMS传感芯片，其特征在于，所述背衬(6)用作为对外连接的机械接口，与所述衬底(5)通过Si-Si或Si-Glass键合连接。
4.根据权利要求1所述的MEMS传感芯片，其特征在于，所述传感芯片的衬底(5)与背衬(6)之间构成空腔(1)，该空腔(1)为方形或圆形结构。
5.根据权利要求4所述的MEMS传感芯片，其特征在于，所述空腔(1)充满气体或保持真空。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS传感芯片，其特征在于，传感芯片在所述背衬(6)上的布置区域内设置有至少一个贯穿所述背衬(6)的通孔(2)，所述通孔(2)被设置在所述布置区域的中心位置。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS传感芯片，其特征在于，传感芯片在所述背衬(6)上无通孔。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的MEMS传感芯片，其中，传感芯片在所述顶硅层上的电路器件包括采用惠斯顿电桥的电路。
9.一种电路板，其特征在于，所述电路板上设置有一个或多个如权利要求1-8中任一项所述的MEMS传感芯片。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括一个或多个如权利要求1-8中任一项所述的MEMS传感芯片、或者一个或多个如权利要求9所述的电路板。
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