[发明专利]一种氧化锶钛晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201810731512.3 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110690274A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘程秀 | 申请（专利权）人： | 刘程秀 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214035 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钛酸锶晶体管 晶体管 制作 结构晶体管 钛酸锶薄膜 电子器件 氧化锶钛 制作工艺 掺杂的 钛酸锶 叠层 多结 集成电路 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化锶钛晶体管的制作方法，氧化锶钛即钛酸锶，其特征在于在NbSrTiO3或YSZ或SrTiO3或LaAlO3单晶基片上将掺杂而成的P型和N型钛酸锶薄膜材料叠层外延在一起，形成P-N结，P-N-P结，N-P-N结及多结结构晶体管；其中N型钛酸锶为Sr1-XLaxTiO3或SrAxTi1-XO3，A是Nb或Sb；P型钛酸锶为SrBxTi1-XO3，B是In或Mn；X取值范围为0.005-0.6。
2.按权利要求1所述的钛酸锶晶体管，其特征在于还可以不用单晶基片而直接用N型或P型钛酸锶为基底，在N型钛酸锶基底上外延一层P型钛酸锶或在P型钛酸锶基底上外延一层N型钛酸锶薄膜，形成P-N结，制备钛酸锶晶体二极管；在N型钛酸锶基底上外延一层P型和一层N型钛酸锶薄膜，形成N-P-N结，制备钛酸锶N-P-N晶体三极管；在P型钛酸锶基底上外延一层N型和一层P型钛酸锶薄膜，形成P-N-P结，制备钛酸锶P-N-P晶体三极管。
3.按权利要求1所述的钛酸锶晶体管，其特征在于还可以用氧化物材料BaTiO3或SrTiO3或SiO2或Al2O3或LaAlO3或ZrO2做隔离绝缘层。
4.以上所述的实施例，是本发明所选的具体实施方式的其中几种，本领域的发明技术方案范围内可替换制作方法都应包含在本发明的保护范围内。
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