[发明专利]氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、半导体元件及电子装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：

前驱体层的形成工序，将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯，并可包含不可避免的杂质；以及

烧成工序，在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将所述前驱体层加热后，在比所述第1温度更高、而且为所述金属与氧键合的温度、且为所述化合物的利用差示热分析法DTA的放热峰值即第2温度以上的温度，烧成所述前驱体层。

2.如权利要求1所述的氧化物半导体层的制造方法，其中，

所述第2温度比所述第1温度高10℃以上。

3.如权利要求1所述的氧化物半导体层的制造方法，其中，

所述第2温度比所述第1温度高50℃以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的氧化物半导体层的制造方法，其还包含在所述烧成工序之后，进一步照射紫外线的照射工序。

5.如权利要求1至3中任一项所述的氧化物半导体层的制造方法，其中，

所述脂肪族聚碳酸酯为环氧化物与二氧化碳聚合而成的脂肪族聚碳酸酯。

6.如权利要求1至3中任一项所述的氧化物半导体层的制造方法，其中，

所述脂肪族聚碳酸酯为选自由聚碳酸乙二醇酯、及聚碳酸丙二醇酯所组成的组中的至少1种。

7.一种氧化物半导体的前驱体，其为将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的氧化物半导体的前驱体，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯，并可包含不可避免的杂质，

而且，在比所述金属与氧键合的温度且所述化合物的利用差示热分析法DTA的放热峰值即第2温度更低的第1温度，所述粘合剂的90wt％以上被分解。

8.如权利要求7所述的氧化物半导体的前驱体，其中，

所述第2温度比所述第1温度高10℃以上。

9.如权利要求7所述的氧化物半导体的前驱体，其中，

所述第2温度比所述第1温度高50℃以上。

10.如权利要求7至9中任一项所述的氧化物半导体的前驱体，其中，

所述脂肪族聚碳酸酯为环氧化物与二氧化碳聚合而成的脂肪族聚碳酸酯。

11.如权利要求7至9中任一项所述的氧化物半导体的前驱体，其中，

所述脂肪族聚碳酸酯选自由聚碳酸乙二醇酯、及聚碳酸丙二醇酯所组成的组中的至少1种。

12.一种氧化物半导体层，其是通过将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的氧化物半导体的前驱体层，在所述金属与氧键合的温度、且所述化合物的利用差示热分析法DTA的放热峰值即第2温度以上进行烧成而形成的，其中所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯，并可包含不可避免的杂质，

而且在比所述第2温度更低的第1温度，所述粘合剂的90wt％以上被分解。

13.如权利要求12所述的氧化物半导体层，其中，

所述第2温度比所述第1温度高10℃以上。

14.如权利要求12所述的氧化物半导体层，其中，

所述第2温度比所述第1温度高50℃以上。

15.一种半导体元件，其具有权利要求12至14中任一项所述的氧化物半导体层。

16.一种电子装置，其具有权利要求15所述的半导体元件。