[发明专利]一种制备半导体石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201810734820.1 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN110683531A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李四中;茅勇平;马榕 | 申请（专利权）人： | 亨熙(上海)实业有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 硼掺杂 半导体石墨 钨丝表面 硼原子 碳原子 沉积 制备 半导体材料 化学气相沉积 连续化生产 析出 场效应管 大小差别 电学表征 电子器件 高温沉积 沟道材料 硼元素 碳元素 替代性 石墨 硼源 掺杂 扩散 应用 | ||
1.权利要求书：
一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：在密闭的空腔中，碳源气体与硼源气体及稀释气体在通电加热钨丝的表面沉积碳与硼，同时将钨丝不断牵引得到连续沉积的碳与硼及钨丝的复合细丝，后将含硼石墨与钨丝的复合物进行剥离得到含硼石墨，对含硼石墨在溶剂中进行超声或者微波处理即得到含硼石墨烯。
2.后将含硼石墨烯作为沟道材料制备成场效应管进行电学表征，结果证明硼掺杂石墨烯是半导体材料。
3.根据权利1所述的一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：通过电阻发热的方法将钨丝通电，同时钨丝是可以连续牵引的；
根据权利1所述的一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：所述的温度为钨丝加热的温度范围在1200-2200℃，恒温时间为5-1000分钟；
根据权利1所述的一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：气体分别为：碳源气体：甲烷、乙烷、乙烯、丙烷、丙烯含碳气体等；硼源气体：B2H6、B4H10、B5H9、B5H11等含硼化合物；稀释气体：氢气、氩气等；其中碳源气体的有效含碳量的质量与硼源气体的有效含硼量的质量比的范围为1000-5:1；
根据权利1所述的一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：所述碳元素为石墨或者过渡态碳。
4.根据权利1所述的一种制备硼掺杂半导体石墨烯的方法，其特征在于：将残渣进行在水或者其它溶剂中进行超声或者微波处理，其它溶剂是指乙醇、DMF、DMSO、N-甲基吡咯烷酮等。
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