[发明专利]一种碳点/二维MoS2有效

专利信息
申请号: 201810735670.6 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN108786857B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 李宁;胡胜亮;常青;李莹;薛超瑞 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051
代理公司: 山西五维专利事务所(有限公司) 14105 代理人: 茹牡花
地址: 030051*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 二维 mos base sub
【说明书】:

发明属于纳米材料及催化技术领域,具体涉及一种碳点/二维MoS2复合光催化剂及其制备方法。技术方案是以MoS2粉末和N,N‑二甲基甲酰胺为原料;经过制备MoS2与DMF混合液、二维MoS2纳米片悬浮液、水热法制备二维MoS2/碳点复合沉淀、离心、洗涤、真空干燥等四个主要步骤,得到碳点/二维MoS2复合光催化剂。本发明制备的碳点/二维MoS2复合光催化剂具有优异的光氧化性,本发明可用于光催化降解染料等领域。

技术领域

本发明属于纳米材料及催化技术领域,具体涉及一种碳点/二维MoS2复合光催化剂及其制备方法。

背景技术

碳点是一种新兴的零维碳纳米材料,它具有原材料丰富、制备简单、成本低廉、绿色无毒等优点,还具有半导体特性、大的比表面积以及表面官能化的基团等性能。因此,碳点在光能转化领域具有重要的应用价值。然而,碳点在捕获可见光和光生电荷有效分离、转移上存在挑战。将碳点与其他半导体纳米构建复合结构,不但可以提高太阳光的捕获能力,而且还有助于促进光生电荷的分离、转移及转化,从而可以有效提高光催化效率。MoS2属于类石墨烯结构的层状半导体,体相MoS2的光学带隙在~1.2eV附近,随着层数降低,带隙值逐渐增大,三层、两层、单层MoS2的光学带隙值分别为~1.4eV、~1.6eV、~1.8eV [NanoLett.2012,12:3695-3700]。二维MoS2吸收可见光的能力强、光学稳定性好[NanoLett.2013,13:3664-3670;ACS nano 2015,9:11302-11309]。同时,二维MoS2具有非常大的比表面积,催化活性位点的数量比三维结构要多,同时原子级的尺寸减小了光生载流子迁移距离,使其能够更快的迁移至表面。利用零维碳点与二维MoS2复合,能够促进光生电荷的分离与转移,并且可以在二维结构丰富的活性位点上参与氧化还原反应。

发明内容

本发明的目的是提供一种制备工艺较为简单、控制容易且效率高的一种碳点/二维 MoS2复合光催化剂。

本发明的另一发明目的是提供该复合光催化剂的制备方法。

本发明所采取的技术方案是,一种碳点/二维MoS2复合光催化剂,其中,包括下列用量的原料:60-100mg的MoS2的粉末,20-40mL的N,N-二甲基甲酰胺。

一种制备所述碳点/二维MoS2复合光催化剂的方法,其中,包括以下步骤:

(1)将上述用量的MoS2粉末分散于上述用量的N,N-二甲基甲酰胺中,搅拌15min,然后在350W的功率下,温度为30℃的条件下恒温超声6-8h,获得MoS2与N,N-二甲基甲酰胺的混合液;

(2)将步骤(1)中获得的混合液在3000r/min或6000r/min的条件下离心20min,取上层悬浮液体,得到100-800nm宽的二维MoS2纳米片悬浮液;

(3)将步骤(2)中得到的二维MoS2纳米片悬浮液置于水热反应釜中,在180-220℃的条件下反应6-12h,使悬浮液中的N,N-二甲基甲酰胺生成碳点并在二维MoS2纳米片上生长,待反应结束后,先进行冷却,然后在10000r/min的转速下离心,收集获得的沉淀物;

(4)把步骤(3)所得的沉淀物经过若干次洗涤后,置于真空干燥箱内,在60-80℃下干燥,即得到碳点/二维MoS2复合光催化剂。

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