[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、通过第一道构图工艺在基板上形成底栅极；

S20、在所述基板上形成非晶硅层，将非晶硅层转化为多晶硅层；

S30、通过第二道构图工艺，对所述多晶硅层采用刻蚀处理，形成图案化的有源层；

S40、进行第三道构图工艺，在所述有源层上形成P型离子掺杂区，将P型离子注入所述P型离子掺杂区；

S50、进行第四道构图工艺，在有源层上形成第二光刻胶层，使用半色调掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，对位于所述光刻胶完全去除区的有源层注入N型离子，形成N型离子掺杂区；

S60、对剩余的第二光刻胶层进行灰化处理，去除位于所述光刻胶半保留区的光刻胶，使与所述光刻胶半保留区对应的所述有源层露出，并对与所述光刻胶半保留区对应的所述有源层进行漏极轻掺杂，形成轻掺杂区，剥离剩余光刻胶；

S70、从下而上依次形成层间介质层、源漏极、平坦化层、公共电极层、钝化层以及像素电极层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S20包括：

S21、在所述基板上形成覆盖底栅极的缓冲层；

S22、在所述缓冲层上形成非晶硅层，将所述非晶硅层转化为多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S40包括：

S41、在所述有源层上形成覆盖有源层的第一光刻胶层，利用光罩对所述第一光刻胶层进行曝光并显影，去除部分所述第一光刻胶层，使部分所述有源层露出，以形成P型离子掺杂区；

S42、将P型离子注入所述P型离子掺杂区，去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述S42包括：

S421、对剩余的第一光刻胶层进行灰化处理，去除已碳化的光刻胶；

S422、去除残余的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶完全保留区覆盖所述P型离子掺杂区。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的厚度均大于1微米。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为1.4～2.3微米。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，位于所述光刻胶完全保留区的光刻胶的顶面为上凸的弧面，且所述弧面由中心区域向周侧下延。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S70中，通过构图工艺形成层间介质层的图形时，并形成第一层接触孔的图形。

10.一种低温多晶硅TFT阵列基板，其特征在于，采用如利要求1-9任一项所述的制备方法制备。