[发明专利]相变存储器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810736382.2 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN109698269A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热器 相变存储器结构 热传导率 晶体管区域 相变材料 第二材料 第一材料 制造 电介质层 外围 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变存储器结构，包含：
晶体管区域；
相变材料，位于所述晶体管区域上方；
加热器，位于所述晶体管区域上方并与所述相变材料接触，所述加热器包含：
第一材料，具有第一热传导率，所述第一材料位于所述加热器的外围；以及
第二材料，具有大于所述第一热传导率的第二热传导率，所述第二材料位于所述加热器的中心；以及
电介质层，围绕所述加热器及所述相变材料。
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