[发明专利]一种N掺杂Ge-Se-As OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种N掺杂Ge-Se-As OTS材料，其特征在于，所述材料的化学通式为GeSeAs_0.2N_x，其中0<x<1.0。

2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述0.1<x<0.5。

3.一种如权利要求1所述的N掺杂Ge-Se-As OTS材料的制备方法，其特征在于，采用溅射法、离子注入法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法制备而成。

4.一种OTS选通器单元，结构包括下电极层、上电极层及位于上、下电极层之间的OTS材料层，其特征在于，所述OST层包含权利要求1所述的N掺杂Ge-Se-As OTS材料。

5.根据权利要求4所述的选通器单元，其特征在于，所述上电极层与OTS材料层之间和/或下电极层与OTS材料层之间设有阻挡层。

6.根据权利要求5所述的选通器单元，其特征在于，所述阻挡层为碳薄膜或者碳化物薄膜。

7.根据权利要求4所述的选通器单元，其特征在于，所述上、下电极层的材料包括：单金属材料或由所述单金属材料中的任意两种或多种组合成的合金材料，或所述单金属材料的氮化物、碳化物或氧化物。

8.一种如权利要求4所述的选通器单元的制备方法，包括：

形成下电极层、OST层、上电极层；

在所述上电极层上形成引出电极，把上电极层、下电极层通过所述引出电极与器件的存储单元、驱动电路及外围电路集成。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，包括：

形成下电极层，在下电极层上形成下阻挡层，下阻挡层上形成OTS材料层，再在OST材料层上形成上阻挡层，上阻挡层上形成上电极层；

在所述上电极层上形成引出电极，把上电极层、下电极层通过所述引出电极与器件的存储单元、驱动电路及外围电路集成。

10.根据权利要求8、9任一所述的制备方法，其特征在于，所述下电极层、所述OTS层、所述上电极层及所述引出电极的方法包括：溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法中的一种。