[发明专利]用于半导体封装元件解封的腐蚀液组合物

说明书

本申请涉及一种用于半导体封装元件解封的腐蚀液组合物，其中所述腐蚀液组合物由发烟硝酸与浓硫酸依照体积比为约5:1的比例组成。本申请藉由所述腐蚀液组合物在半导体封装元件解封过程中控制其刻蚀程度，能够更完整地去除包覆在半导体封装元件外的封装材料使其芯片表面清晰暴露，同时完整地保护内部的打线结构，从而不影响对打线结构进行焊线强度测定的结果。

技术领域

本申请涉及半导体封装元件检测的领域，特别是涉及一种用于除去半导体封装元件外部封装材料的腐蚀液的化学组合物。

背景技术

以下说明及实例并不由于其包含于此章节中而被认为是现有技术。

在对半导体封装元件进行失效分析时，多半采用的是运用化学腐蚀液对包覆在半导体封装元件外的封装材料(例如，环氧树脂)进行解封，以除去包覆的包覆层并使半导体封装元件中的芯片及打线结构露出，从而对露出的芯片及打线结构进行观察分析及失效分析。

使用含发烟硝酸的腐蚀液对半导体封装元件进行刻蚀时，虽然可以去除包覆在芯片及打线结构外的包覆层，但同时也会腐蚀半导体封装元件中的打线结构，使得打线结构无法保留或损坏，从而无法对打线结构的连结状态进行焊接强度测试。

发明内容

本申请实施例通过提供一种腐蚀液的化学组合物，以试图将至少一种存在于相关领域中的问题解决到至少某种程度上。

根据本申请的实施例，提供了一种用于半导体封装元件解封的腐蚀液组合物，其中，所述腐蚀液组合物由发烟硝酸与浓硫酸依照体积比为约5:1的比例组成。

在本申请的部分实施例中，所述浓硫酸中的硫酸浓度至少为98％以上。

在本申请的部分实施例中，所述发烟硝酸中的硝酸浓度至少为95％以上。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件中的打线的主要材料为铜。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件中的打线的宽度为约25μm。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件中的包覆层包括环氧树脂。

根据本申请的另一实施例，提供了一种半导体封装元件解封方法，其包括将半导体封装元件浸入腐蚀液组合物中，其中所述腐蚀液组合物由发烟硝酸与浓硫酸依照体积比为约5:1的比例组成。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件解封方法进一步包括在将半导体封装元件浸入腐蚀液组合物之前，先将所述腐蚀液组合物加热到约90℃-100℃。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件浸入所述腐蚀液组合物中的浸泡时间为约1分钟至约5分钟。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件解封方法进一步包括在将所述半导体封装元件浸入所述腐蚀液组合物之前，打磨所述半导体封装元件的窗口。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件解封方法进一步包括在将所述半导体封装元件浸入所述腐蚀液组合物中的步骤后，使用常温发烟硝酸清洗所述半导体封装元件；随后将所述半导体封装元件依序通过第一次清水清洗、超音波清洗及第二次清水清洗。

在本申请的部分实施例中，所述半导体封装元件解封方法进一步包括将清洗后的所述半导体封装元件通过脱水剂进行脱水。

本申请实施例的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本申请申请实施例的实施而阐释。

附图说明

在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请的实施例。显而易见地，下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言，在不需要创造性劳动的前提下，依然可以根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。