[发明专利]N

说明书

本发明公开了一种N₆型单核Fe(Ⅱ)自旋交叉配合物FeL_2bzyl(NCBH₃)₂的晶体及其制备方法，该晶体参数如下：化学式：C₃₀H₃₆B₂FeN₆；分子量：558.12；晶系：单斜晶系；空间群：C2/c；a=9.1122(10)Å；b=17.6164(14)Å；c=17.5397(15)Å；α=γ=90°β=95.001°；V=2791.9(4)ų；Z=4。本发明制备过程较简单，且得到的晶体有可能应用于温度传感器中的核心感应器件；变温磁化率测试显示，此晶体随着温度降低，其磁化率在240 K附近存在转变趋势，对于体系之前经历的过程有一定的记忆作用，该记忆特性为其在分子开关、分子存储等方面的应用提供了可能。

技术领域

本发明涉及自旋交叉配合物领域，特别是一种配位环境为N6型单核Fe(II)自旋交叉配合物的晶体及其制备方法。

背景技术

1967年，贝尔实验室中诞生了第一个分子铁磁体，自此凭借其独特的性能和结构，横跨诸多学科的分子基磁性材料受到了一代又一代科学家的重视。与传统固体材料相比，分子基磁性材料不依赖离子键、共价键和金属键而是通过分子间弱相互作用力(氢键等)完成分子之间的联系与响应，使得相应化合物单晶的获得更为容易，而针对这些分子间弱相互作用的调节也相对而言更为简便。目前，分子基磁性材料的研究主要集中在三个方面，包括1)有机自由基化合物；2)有机自由基-金属配合物；3)金属配合物。而在种类众多的分子基磁性材料中，自旋交叉配合物依靠其中心离子能在高自旋(HS)和低自旋(LS)状态之间可逆转变获得了众多科学家的关注，因为相较于其他类型的分子基磁性材料，自旋交叉化合物由于仅存在中心离子内部电子的跃迁，并不会发生离子间电子的转移(混合价化合物)或者键的偏移(键合异构体)，从而避免了任何形式疲劳(fatiguability)的出现，这可能是其他化合物无法比拟的优点。

当配合物的金属离子组态为3d⁴-3d⁷且处于八面体场时,根据晶体场分裂能Δ和电子成对能P的相对大小,配合物分子可处于高自旋基态或低自旋基态。当这两种基态能量相近,以致与KT(K:玻尔兹曼常数,T:温度)处于同一数量级时,则在一个适当及可控的外界微扰下(如温度、压力和光辐射等),配合物分子可发生高、低自旋态的互变。自旋交叉主要有5种形式，分别是渐变型、突变型、滞回型、阶梯形、不完全型。滞回型的升温和降温的转变温度不同，表现出分子双稳态，因此对于体系之前经历的过程有一定的记忆作用，可应用于分子开关、分子存储等方面。除此以外，结晶过程中特定因素的调控可能会导致同质多晶的出现，这些因素包括：溶剂、温度、浓度、搅拌、杂质等。

发明内容

本发明的目的是提供一种配位环境为N6型单核Fe(II)自旋交叉配合物的晶体及其制备方法。

实现本发明目的的技术解决方案是：一种N₆型单核Fe(II)自旋交叉配合物FeL_2bzyl(NCBH₃)₂的晶体，该晶体参数如下：化学式：C₃₀H₃₆B₂FeN₆；分子量：558.12；晶系：单斜晶系；空间群：C2/c；α＝γ＝90°β＝95.001°；Z＝4。

上述晶体的制备方法，包括如下步骤：