[发明专利]一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置

说明书

本发明属于太阳能电池片刻蚀技术领域。本发明公开了一种多晶硅电池片链式背抛光方法，将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层，将多晶硅电池片与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层，将经上述处理后的多晶硅电池片与碱液接触进行腐蚀抛光，将处理后的多晶硅电池片用水清洗，将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥；本发明还公开了一种多晶硅电池片链式背抛光装置。本发明中的多晶硅电池片链式背抛光方法能够保证电池的效率和稳定性，不易形成“刻蚀印”而影响外观，还能降低酸使用量、漏电比例低、背抛光效果好；本发明中的多晶硅电池片链式背抛光装置能够良好的实现上述方法，保证连续化生产。

技术领域

本发明涉及太阳能电池片刻蚀技术领域，尤其是涉及一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置。

背景技术

随着现代工业化的发展，常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的新能源中，太阳能无疑是一种绿色环保的替代能源，电池片可以将太阳光直接转换成电能，其发电原理是PN结的光生伏特效应。目前常规电池工艺受到技术限制，转换效率已经没有太大提升空间，电池转换效率必须依靠升级现有的技术和新的电池结构类型。目前行业内PERC电池技术无疑是最有效提升效率手段，而PERC电池核心技术之一是背抛工艺，PERC电池背抛要求是电池片背面整面绒面光滑、一致性、反射率高等要求。背抛技术是使硅片背面抛光减少背面复合与改善太阳能硅片的光学效益增强吸收长波段光普，从而提升太阳能电池的光电转换效率，并且可以与太阳能电池下一步技术叠加，具有兼容性好等优点。

现有技术中采用Schmid刻蚀工艺，其工艺中采用Schmid刻蚀槽，现有Schmid刻蚀槽见图3所示，其由刻蚀一号反应槽101、刻蚀二号反应槽102、中间旋转台103、储液槽104和带液滚轮组成105，刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽公用一个储液槽，刻蚀一号反应槽、刻蚀二号反应槽和储液槽之间有药液循环系统，新药液加到储液槽，由泵浦管道传输至上面刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽，刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽将反应后药液溢流方式流回下面储液槽；刻蚀一号反应槽、刻蚀二号反应槽和储液槽之中的药液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，并且刻蚀一号反应槽与刻蚀二号反应槽温度控制在6～25℃下的低温环境中。扩散后的多晶硅电池片100正面在刻蚀上料喷上纯水形成水膜，滚轮部分接触药液，多晶硅电池片背面在刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽上的滚轮上传输时不与反应槽中的药液直接接触，多晶硅电池片由滚轮传输至刻蚀一号反应槽后，滚轮带取反应槽药液涂在多晶硅电池片背面，滚轮将药液从多晶硅电池片头部逐渐涂至尾部，出刻蚀一号反应槽后有旋转装置，旋转180度再由滚轮传输至刻蚀二号反应槽，同刻蚀一号反应槽原理一致，多晶硅电池片背面在刻蚀二号反应槽中反应。

滚轮带取反应槽药液涂在多晶硅电池片背面，带液滚轮将药液从多晶硅电池片头部逐渐涂至尾部，多晶硅电池片背面头部逐渐至尾部药液减少，从而多晶硅电池片背面头部至尾部绒面由大逐渐减小，导致多晶硅电池片背面整体绒面不一致。旋转装置在旋转180度时，不可避免将多晶硅电池片上的水甩到刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽中，稀释刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽中药液浓度，刻蚀酸耗量增加，而且多晶硅电池片背面在刻蚀一号反应槽和刻蚀二号反应槽中反应，导致多晶硅电池片背面整体绒面不一致。

发明内容

为解决现有技术中上述存在的硅片背部绒面不均匀及耗酸量大的问题，本发明提供了一种背抛光后能够获得均匀一致背部绒面且耗酸量小的多晶硅电池片链式背抛光方法；

本发明还提供了一种多晶硅电池片链式背抛光装置。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种多晶硅电池片链式背抛光方法，包括以下步骤：

a)将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层；

b)将多晶硅电池片四周及背面与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层；