[发明专利]一种半导体陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810740306.9 | 申请日： | 2018-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN108585793B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 邓佩雯 | 申请（专利权）人： | 河源市极致知管信息科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C04B35/622;C04B35/626 |
| 代理公司： | 广州三辰专利事务所(普通合伙) 44227 | 代理人： | 黄鸿 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开发区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体陶瓷材料，其特征在于，所述半导体陶瓷材料由以下原料组成：碳酸钡、三氧化二铬、二氧化钛、二氧化硅、聚二甲基硅氧烷和羧甲基纤维素；
所述半导体陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：
(1)将一部分碳酸钡和三氧化二铬混合后进行球磨过筛，然后高温反应得到铬酸钡熔块；
(2)将剩余碳酸钡和二氧化钛混合后球磨过筛，然后高温反应得到钛酸钡熔块；
(3)将得到的铬酸钡熔块和钛酸钡熔块粉碎过筛后混合，掺杂二氧化硅和聚二甲基硅氧烷；
(4)加入羧甲基纤维素得到混合料，混合料球磨后过筛，然后压制成型，最后在1200-1500℃下高温煅烧1-2小时得到半导体陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料，其特征在于，所述半导体陶瓷材料中各原料组分的比例为：52-75重量份碳酸钡、2-18重量份三氧化二铬、20-28重量份二氧化钛、1-3重量份二氧化硅、1-3重量份聚二甲基硅氧烷、0.5-0.9重量份羧甲基纤维素。
3.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)球磨时间均为12-24小时；所述过筛是指过80-100目筛。
4.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中碳酸钡的重量比为1:(1～5)。
5.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料，其特征在于，步骤(1)和步骤(2)中反应温度均为1100-1200℃，反应时间均为2-4小时。
6.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料，其特征在于，步骤(3)铬酸钡熔块和钛酸钡熔块粉碎后过100-120目筛。
7.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷材料，其特征在于，步骤(4)中混合料球磨后过100-120目筛。
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