[发明专利]基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法

权利要求书

1.一种基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、对干净的单晶硅表面进行氧化层去除处理，再依次对其表面进行清洗、干燥；

S2、通过原子力显微镜或划痕设备利用金刚石针尖在单晶硅表面进行表面划痕加工；

S3、采用TMAH溶液对单晶硅表面进行刻蚀，刻蚀完成后对单晶硅表面进行清洗，获得单晶硅表面的三维纳米结构。

2.根据权利要求1所述的基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：所述单晶硅为单晶硅(100)或单晶硅(110)。

3.根据权利要求1或2所述的基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S2中，金刚石针尖的尖端曲率半径为20nm～50μm。

4.根据权利要求1或2所述的基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S2中，金刚石针尖的尖端曲率半径为20nm～1μm。

5.根据权利要求1所述的基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述TMAH溶液质量浓度为25％，刻蚀温度为25℃，刻蚀时间为30s～8min。

6.根据权利要求1所述的基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S1中，采用质量浓度5％的HF溶液刻蚀单晶硅表面5min，以除去表面的自然氧化层，再采用乙醇、去离子水对HF溶液处理后单晶硅表面进行清洗。

7.根据权利要求1所述的基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，其特征在于：所述步骤S3中，依次采用乙醇、去离子水对单晶硅表面进行超声清洗，以使其表面的残余TMAH溶液溶液及其它异物完全清洗干净。